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無転位シリコン単結晶の製造方法

シーズコード S100002805
掲載日 2010年11月5日
研究者
  • 干川 圭吾
  • 黄 新明
技術名称 無転位シリコン単結晶の製造方法
技術概要 製造方法は、シリコンよりも結合半径が小さい不純物元素としてB及びシリコンよりも結合半径が大きい不純物元素としてGeを、atoms/cmを単位とするB及びGeの濃度(N、NGe)の分布図において、曲線aとbとに挟まれ、cよりも高濃度側の領域によって規定される範囲で含む無転位単結晶のシリコン種子結晶を用意する工程と、種子結晶をシリコン融液に接触させ、ネッキングを行うことなく、シリコン単結晶を成長させる工程とを含む。曲線aは、NGe=1.12788×1024×[5.4313/{5.4311×(1-5.456×10-24×N)}-1]、曲線bは、NGe=1.12788×1024×[5.4309/{5.4311×(1-5.456×10-24×N)}-1]で表され、曲線cは、3つの濃度点(N、NGe)=(1×1018、4×1019)、(2×1018、1×1019)、(4×1018、0)を結ぶ曲線である。好ましくは、シリコン融液がノンドープのシリコン融液である。
画像

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研究分野
  • 結晶成長技術・装置
展開可能なシーズ B及びGeを特定の濃度範囲とすることにより、熱ショック転位及びミスフィット転位が発生せず、ネッキング行程無しで無転位シリコン単結晶を製造できる方法を提供する。
ネッキング工程が不必要になり、ネック部の機械的強度が増大し、大直径、大重量の結晶製造が可能になると共に結晶製造の効率が上がる。更に、無転位化が達成されたか否かの判定を必要としない。また需要の多いノンドープの無転位単結晶を無ネッキングで成長させることができる。
用途利用分野 半導体シリコン単結晶、LSI
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 学校法人信州大学, . 干川 圭吾, 黄 新明, . 無転位シリコン単結晶の製造方法. 特開2002-145694. 2002-05-22
  • C30B  29/06     
  • C30B  29/06     
  • C30B  15/36     

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