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イオンビーム微細加工方法

シーズコード S100002863
掲載日 2010年11月5日
研究者
  • 金子 忠昭
  • 浅岡 康
  • 佐野 直克
技術名称 イオンビーム微細加工方法
技術概要 まず、GaAs層1表面に自然に形成されているAs等の表面酸化膜2を除去することなく、この表面酸化膜2の表面に向ってイオンビーム径を0.5μm以下、好ましくは0.3μm以下、更に好ましくは0.1μm以下に絞ったGaイオン4を真空中で照射して、表面酸化膜2にGaイオンを注入する。このGaイオンの注入により、表面酸化膜2のAsや、AsO等の酸化物は、ある注入量以下では化学的に安定した酸化物Gaに置換される。次に、表面酸化膜2の一部をGaに置換したGaAs層1を580℃に昇温する事によりGa以外の表面酸化膜2が熱脱離し、その後表面を臭素化物で照射する事により原子層一層単位でドライエッチングし、Gaに置換された部分以外を除去する。この時、GaAs層1の表面を所定の回路パターンとなるように、Gaイオンによってパターニングすると、GaAs層1表面に任意の回路パターンを加工することが可能となる。
画像

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研究分野
  • 固体デバイス製造技術一般
  • 電子ビーム,イオンビーム
  • 薄膜一般
展開可能なシーズ 化合物半導体を含む半導体結晶表面に自然に形成されている表面酸化膜を除去することなく、その表面酸化膜にGaイオンを注入することによって、臭素化物によってエッチングされない化学的に安定なGaを形成することができるイオンビーム微細加工方法を提供する。
GaIn1-xAs1-y(0≦x、y≦1)層表面に、Gaイオンを注入し、層表面の表面酸化膜の存在の下でのGaイオン打ち込みにより酸化層を選択的にGaに置換させた後、層表面を臭素化物により一原子層単位でドライエッチングし、Gaに置換した部分以外の表面酸化膜等を除去することにより、層表面に微細な回路パターンをその場で形成することができる。
用途利用分野 ネガ型リソグラフィ
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 学校法人関西学院, . 金子 忠昭, 浅岡 康, 佐野 直克, . イオンビーム微細加工方法. 特開2003-051488. 2003-02-21
  • H01L  21/302    

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