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縮環ポリチオフェン-S,S-ジオキシド及びその製造方法

シーズコード S100003011
掲載日 2010年11月5日
研究者
  • 山口 茂弘
  • 岡本 敏宏
技術名称 縮環ポリチオフェン-S,S-ジオキシド及びその製造方法
技術概要 式で表される縮環ポリチオフェン-S,S-ジオキシドである。(式において、Rは水素、トリアルキルシリル基、(置換)アルキル基、フルオロアルキル基、ハロゲン原子、アリール基、1価の複素環基等である)縮環ポリチオフェンを過酸化物と反応させることにより縮環ポリチオフェン-S,S-ジオキシドに酸化して製造する。縮環ポリチオフェンはp型電荷輸送特性を示すが、これらを酸化した縮環ポリチオフェン-S,S-ジオキシドはn型電荷輸送特性を示し、高い電子受容能を持つ。縮環ポリチオフェンとそのS,S-ジオキシドとのHOMO-LUMOのエネルギーレベルを比較した例を図に示す。p型の縮環ポリチオフェンを酸化することによりHOMO-LUMOのエネルギーレベルが低下してn型に変わることを示す。Rはトリアルキルシリル基、炭素数が1~18のアルキル基、炭素数が1~18のアルキル基で全部又は一部の水素がフッ素で置換されたものであることが好ましい。こうすれば、有機溶媒への溶解度が高くなり、カラムクロマトグラフィーなどによる精製操作が可能となり、純度を十分高くすることが可能となる。
画像

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研究分野
  • 各種有機化合物の製造
  • 有機化学反応一般
  • 固体デバイス材料
展開可能なシーズ 高い電子受容能を持つと共に高平面性のπ共役骨格を持つ縮環ポリチオフェン-S,S-ジオキシド、及びその効率的な製造方法を提供する。
この縮環ポリチオフェン-S,S-ジオキシドは、有機溶媒への溶解度が高く、化合物の純度が性能に大きく影響するといわれている薄膜トランジスタ(FET)や有機電界発光素子(EL素子)へ適用することが容易になる。更に、FETやEL素子などへ適用する際には縮環ポリチオフェン-S,S-ジオキシドを有機溶媒に溶かして成膜化することも考えられるが、そのような成膜化にも適している。
用途利用分野 薄膜トランジスタ、有機電界発光素子、n型電荷輸送性材料
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 学校法人名古屋大学, . 山口 茂弘, 岡本 敏宏, . 縮環ポリチオフェン-S,S-ジオキシド及びその製造方法. 特開2006-248983. 2006-09-21
  • C07D 495/22     
  • C08G  61/12     

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