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カルシウムシリサイド薄膜の成長方法

シーズコード S100003165
掲載日 2010年11月5日
研究者
  • 松井 宏樹
  • 倉本 護
  • 小野 努
  • 野瀬 康男
  • 百瀬 与志美
  • 立岡 浩一
  • 桑原 弘
技術名称 カルシウムシリサイド薄膜の成長方法
技術概要 まず、容積1Lの耐熱容器(耐熱ガラス容器等)内に1cmの単結晶シリコン基板とブロック状マグネシウム0.3gを共存させ、この耐熱ガラス容器の開口部に蓋を取り付けて容器内を密閉空間とする。次に、この蓋付耐熱ガラス容器を真空容器内に設置し、真空容器内のガスを排気して105-Torrの真空度にした後、蓋付耐熱ガラス容器内を370℃に加熱し、この温度で3時間保持することにより単結晶シリコン基板上に厚さ約70μmのMgSi薄膜を成長させる。次いで、容積1Lの耐熱容器内にMgSi薄膜が形成された単結晶シリコン基板とブロック状カルシウム0.2gを共存させ、この耐熱ガラス容器の開口部に蓋を取り付けて容器内を密閉空間とする。続いて、この蓋付耐熱ガラス容器を真空容器内に設置し、真空容器内のガスを排気して105-Torrの真空度にした後、蓋付耐熱ガラス容器内を600℃に加熱し、この温度で2時間15分間保持する。これにより、単結晶シリコン基板上のMgSi薄膜表面にCa:Siのモル比が2:1のCaSi薄膜が成長する。
画像

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研究分野
  • 薄膜成長技術・装置
  • 半導体薄膜
展開可能なシーズ シリコン基板にマグネシウムシリサイド薄膜を介してCa:Siモル比が2:1のカルシウムシリサイド(CaSi)単相の薄膜を成長する方法を提供する。
マグネシウムシリサイド薄膜が形成されたシリコン基板を、密閉空間内でカルシウム蒸気雰囲気に曝してマグネシウムシリサイド薄膜のマグネシウム原子と蒸気化されたカルシウム原子とを置換反応させることにより、マグネシウムシリサイド薄膜表面にカルシウムシリサイド薄膜を成長させることができる。
用途利用分野 光電変換素子
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 学校法人静岡大学, . 松井 宏樹, 倉本 護, 小野 努, 野瀬 康男, 百瀬 与志美, 立岡 浩一, 桑原 弘, . カルシウムシリサイド薄膜の成長方法. 特開2002-289627. 2002-10-04
  • H01L  21/36     
  • C01B  33/06     
  • C23C  14/06     
  • H01L  21/363    
  • H01L  31/04     

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