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シリカ多孔体結晶の製造方法

シーズコード S100003593
掲載日 2010年12月2日
研究者
  • 野田 修司
  • 塩村 隆信
  • 田島 政弘
  • 今若 直人
  • 岡本 康昭
  • 久保田 岳志
技術名称 シリカ多孔体結晶の製造方法
技術概要 水熱反応によりゼオライト等のシリカ多孔体結晶を合成する方法である。この場合、水熱合成容器1内の一部に珪素の高濃度領域を形成し、シリカ多孔体結晶の骨格構成元素の一部又は全部の供給源として、珪素及び酸素を含む化合物からなり、表面平滑化処理したバルク体3を、少なくともその一部が珪素の高濃度域内にあるように存在させて水熱反応を行う。好ましくは、珪素の高濃度領域形成が、水熱合成容器内に小容器2を入れ、小容器内に少なくともその一部が存在するようにバルク体を固定することであり、珪素の高濃度領域にシリカ多孔体種結晶4を存在させている。またバルク体が、水熱合成容器又は小容器の底に接触しないように固定され、水熱合成容器内には、結晶の成長を助長するためのフッ素イオンを存在させる。これにより、珪素の高濃度領域内のバルク体表面に、0.5mm以上のシリカ多孔体単結晶が形成される。
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研究分野
  • 結晶成長技術・装置
展開可能なシーズ シリカ多孔体を大型単結晶として再現性よく、効率的に合成する方法を提供する。
大型サイズの単結晶を一般的な水熱処理条件を適用して効率よく合成することができる。
用途利用分野 分子ふるい、電子デバイス、センサー
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 島根県, 学校法人島根大学, . 野田 修司, 塩村 隆信, 田島 政弘, 今若 直人, 岡本 康昭, 久保田 岳志, . シリカ多孔体結晶の製造方法. 特開2006-076866. 2006-03-23
  • C30B  29/34     
  • C01B  37/02     
  • C30B   7/10     

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