TOP > 技術シーズ検索 > シリサイド膜の作製方法

シリサイド膜の作製方法

シーズコード S100003680
掲載日 2010年12月2日
研究者
  • 中塚 理
  • 酒井 朗
  • 財満 鎭明
  • 安田 幸夫
  • 大久保 和哉
  • 土屋 義規
技術名称 シリサイド膜の作製方法
技術概要 所定のシリコン基材11を準備し、その上にチタン介在層12を形成し、チタン介在層12上に被化合物元素含有層13を形成して多層膜中間構造体10を形成する。この多層膜中間構造体10に対して熱処理を施し、シリコン基材11のシリコン元素と、被化合物元素含有層13の被化合物元素とを含むシリサイド膜を形成する。この場合、熱処理に供する前のシリコン基材11及びこのシリコン基材11上に形成した、ニッケル層等のシリサイド膜を構成する被化合物元素を含む被化合物元素含有層13からなる多層膜中間構造体10において、シリコン基材11と被化合物元素含有層13との間にチタン層を介在させることで、シリコン基材11と被化合物元素含有層13との界面反応が制御される。従って、シリコン基材11、チタン介在層12及び被化合物元素含有層13を含む多層膜中間構造体10に対して熱処理を施し、シリコン基材11中のシリコン元素及び被化合物元素含有層13中の被化合物元素からなるシリサイド膜を作製した場合に、シリコン基材11とシリサイド膜との界面は凹凸状とならず、極めて平坦、例えば原子レベルで平坦となる。
画像

※ 画像をクリックすると拡大します。

thum_2004-051790.gif
研究分野
  • 薄膜一般
  • 薄膜成長技術・装置
展開可能なシーズ シリコン基材との界面が平坦であって、構造及び組成などが均一であり、シリコン系素子の実用的な電極材料などとして使用することのできるシリサイド膜を形成可能にする。
シリコン系素子の電極材料として実用することができない問題を解決して、シリコン基材との界面が平坦であって、構造及び組成などが均一であり、シリコン系素子の実用的な電極材料などとして使用することのできるシリサイド膜を形成できる。
用途利用分野 多層膜中間構造体、多層膜構造体
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 学校法人名古屋大学, . 中塚 理, 酒井 朗, 財満 鎭明, 安田 幸夫, 大久保 和哉, 土屋 義規, . シリサイド膜の作製方法. 特開2005-243923. 2005-09-08
  • H01L  21/28     

PAGE TOP