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カーボンナノチューブFET

シーズコード S100003681
掲載日 2010年12月2日
研究者
  • 大野 雄高
  • 水谷 孝
  • 能生 陽介
  • 岸本 茂
技術名称 カーボンナノチューブFET
技術概要 カーボンナノチューブ電界効果トランジスタ(CN-FET)1は、p型Si基板3と、その表面上に形成された厚さ100nmのSiO酸化膜5と、その上にある距離だけ離間して形成されたCo/Pt触媒7a、7bと、Co/Pt触媒7aと7bとの間に形成されたカーボンナノチューブ11と、カーボンナノチューブ11のそれぞれの端部と接するように形成されたCa金属15a、15bと、Ca金属15a、15bの上に形成されたAl電極17a、17bとを有するソース電極(15a/17a)及びドレイン電極(15b/17b)と、p型Si基板3の裏面に形成されたTi/Auからなるバックゲート電極21とを有する。ここで、仕事関数φmの小さい(2.87eV)Ca金属15a、15bが、カーボンナノチューブCNT11の両端にそれぞれ接触し、所定のエネルギーバンド構造を形成するため、n型CN-FETが作成される。尚、カーボンナノチューブCNT11上にCa金属15a、15bの酸化を防止するためのフォトレジスト23等の酸化防止膜を形成すると良く、CaとAlとは連続して堆積することが好ましい。
画像

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研究分野
  • トランジスタ
展開可能なシーズ 移動度を下げることなくn型CN-FETを作成可能にし、この作成技術を利用してその他の電子デバイスを作成可能にする。
カーボンナノチューブに対してn型の接合を形成することができ、これを利用して不純物の添加なしにn型のCN-FETを形成することができる。
用途利用分野 電子デバイス、光デバイス、電極材料
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 学校法人名古屋大学, . 大野 雄高, 水谷 孝, 能生 陽介, 岸本 茂, . カーボンナノチューブFET. 特開2005-322836. 2005-11-17
  • H01L  29/786    
  • H01L  21/331    
  • H01L  29/73     
  • H01L  21/28     
  • H01L  27/092    
  • H01L  21/8238   
  • H01L  29/417    
  • H01L  29/06     

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