TOP > 技術シーズ検索 > エピタキシャル成長用基材の製造方法

エピタキシャル成長用基材の製造方法

シーズコード S100003684
掲載日 2010年12月2日
研究者
  • 酒井 朗
  • 田岡 紀之
  • 中塚 理
  • 財満 鎭明
  • 安田 幸夫
技術名称 エピタキシャル成長用基材の製造方法
技術概要 シリコン含有基材と、シリコン含有基材上に層状に形成されたシリコンゲルマニウム膜とを備えたエピタキシャル成長用基材10において、シリコン含有基材とシリコンゲルマニウム2膜との界面近傍に、連続的に伸びる90°転位の転位線により構成されたネットワーク状構造物3が設けられている。この場合の多層膜構造体は、エピタキシャル成長用基材10と、このエピタキシャル成長用基材10上に形成されたシリコン膜20とから構成されている。また、このエピタキシャル成長用基材10は、シリコン含有基材としてのシリコン基板1と、このシリコン基板1上に形成された膜厚70nmのシリコンゲルマニウム膜2とから構成されている。そして、シリコン基板1とシリコンゲルマニウム膜2との界面には、90°転位の転位線により構成されたネットワーク状構造物3が設けられている。なお、このシリコンゲルマニウム膜2におけるシリコンとゲルマニウムとの組成比は、Si:Ge=7:3である。
画像

※ 画像をクリックすると拡大します。

thum_2004-207782.gif
研究分野
  • 半導体薄膜
  • 固体デバイス材料
  • 固体デバイス製造技術一般
展開可能なシーズ 例えばシリコン基板上のシリコンゲルマニウム膜における均一な歪み緩和をより確実に達成可能にする。
例えば電界効果トランジスタに適用して、シリコン膜、ゲルマニウム膜又はシリコンゲルマニウム膜を歪みシリコンチャネル層、歪みゲルマニウムチャネル層又は歪みシリコンゲルマニウムチャネル層として利用することにより、この歪みチャネル層において高いキャリア移動度を実現することが可能となる。
用途利用分野 多層膜構造体、半導体素子、電界効果トランジスタ
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 学校法人名古屋大学, . 酒井 朗, 田岡 紀之, 中塚 理, 財満 鎭明, 安田 幸夫, . エピタキシャル成長用基材の製造方法. 特開2006-032575. 2006-02-02
  • H01L  21/205    
  • H01L  21/20     

PAGE TOP