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プラズマCVD装置および硬質炭素膜の製造方法

シーズコード S100003687
掲載日 2010年12月2日
研究者
  • 高井 治
  • 齋藤 永宏
  • アニータ バイオレル
技術名称 プラズマCVD装置および硬質炭素膜の製造方法
技術概要 プラズマCVD法に基づいて被処理材3の表面に、ダイヤモンド・ライク・カーボン等の硬質炭素膜を製造する。この場合、反応容器2内に被処理材3を配置する。次いで、被処理材3の裏面に磁石15a、15bを配置し、被処理材3の表面側とその近傍とに局部的に磁場を形成する。そして、ガス供給管7から反応容器2内に原料ガスを導入するとともに、反応容器2内においてプラズマを発生させる。好ましくは、反応容器2に高周波電力を供給することによって容器内にプラズマを発生させるとともに、高周波電力が印可されるカソード電極(支持台)14上に被処理材3を配置する。また反応容器2内に配置された被処理材3の表面上に磁力線ループ23が形成されるように、磁石15a、15bを配置する。高周波電力の利用によって効率よく被処理材3の表面近傍に高密度にプラズマを発生させることができ、更に、磁力線ループ23を形成することにより、被処理材3の表面近傍にプラズマを閉じこめ、効率よく硬質炭素膜を形成することができる。
研究分野
  • 薄膜成長技術・装置
  • 半導体薄膜
展開可能なシーズ シリコン基板等の基板上に効率よく硬質炭素膜を製造する方法、及びその製造に使用するプラズマCVD装置を提供する。
被処理材表面近傍において原料ガス由来のプラズマ密度を局部的に上昇させることができ、硬質炭素膜の成膜速度を向上させることができる。
用途利用分野 耐摩耗性向上材、摺動性向上材、耐腐食性向上材
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 学校法人名古屋大学, . 高井 治, 齋藤 永宏, アニータ バイオレル, . プラズマCVD装置および硬質炭素膜の製造方法. 特開2006-057132. 2006-03-02
  • C23C  16/26     
  • C23C  16/509    

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