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熱処理装置及び熱処理方法

シーズコード S100003727
掲載日 2010年12月2日
研究者
  • 浅岡 康
  • 金子 忠昭
  • 佐野 直克
技術名称 熱処理装置及び熱処理方法
技術概要 加熱室は、圧力10-2Pa以下の真空下で、又は圧力10-2Pa以下の真空に到達した後に不活性ガスを導入した希薄ガス雰囲気下で、被処理物を加熱できるように構成している。熱処理装置1は、加熱室2と、予備加熱室3と、予備加熱室3から加熱室2に続く前室4とで構成されている。そして、被処理物5が予備加熱室3から前室4、加熱室2へと順次移動することで、被処理物5を短時間で1200℃~2300℃に加熱することができる。また、加熱室2には、加熱ヒータ11の周囲に反射鏡12が配置されており、加熱ヒータ11の熱を反射して加熱ヒータ11の内部に位置する被処理物5側に集中するようにしている。この反射鏡12は、筐体状のものであっても、ドーム状の反射鏡12であってもよい。反射鏡12をドーム状とすることで、加熱ヒータ11に平板状のヒータを使用することも可能となり、平板状の加熱ヒータ11を使用した場合であっても、加熱ヒータ11からの熱を効率良く被処理物5に集中させることができる。
画像

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研究分野
  • 加熱
  • 結晶成長技術・装置
  • 半導体薄膜
展開可能なシーズ 次世代の単結晶SiCの形成に好適な圧力の高真空に到達した後に若干の不活性ガスを導入した希薄ガス雰囲気下であっても短時間で1200℃~2300℃に加熱することができる熱処理装置及びそれを用いて熱処理方法を提供する。
加熱ヒータを用いて、嵌合容器内の被処理物を短時間で1200℃~2300℃という高温に加熱できるため、新規な材料を創作できる。
用途利用分野 半導体製造工程、
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 関西学院大学, . 浅岡 康, 金子 忠昭, 佐野 直克, . 熱処理装置及び熱処理方法. 特開2006-041544. 2006-02-09
  • H01L  21/324    
  • H01L  21/208    

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