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高性能材料の製造方法

シーズコード S100003749
掲載日 2010年12月3日
研究者
  • 黄 新ショウ
  • 真下 茂
  • 小野 正雄
  • 冨田 健
  • 沢井 友次
  • 長壁 豊隆
  • 毛利 信男
技術名称 高性能材料の製造方法
技術概要 二つ以上の異なる元素又は同位体からなる合金若しくは固溶体、化合物若しくは化合物の混晶、又はこれらの混合物等の材料に対して、高重力場処理を施す。具体的には、材料が固相状態を保つことができ、かつ、再結晶温度以上の温度下で、1万g以上の重力加速度を印加する。これにより、原子量の大きい元素が重力方向に一軸変位して結晶構造に大きな一次元格子歪みが生じて、結晶が微細化される。処理時間を長くすると、元素の沈降が生じ、結晶方位が揃って成長すると共に、原子スケールの組成傾斜構造が形成される。材料としては、例えば、全率固溶型ビスマス(Bi)-アンチモン(Sb)合金、カドミウム(Cd)-アンチモン(Sb)系金属間化合物、ビスマス-テルル系半導体化合物(BiTe)、全率固溶型セレン(Se)-テルル(Te)系半導体固溶体等が挙げられる。同位体として、例えば、76Se,78Se,80Se、82Se、125Te、126Te、128Te、130Te、28Si、29Si、30Si等が挙げられる。
画像

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展開可能なシーズ 半導体などの材料を構成している結晶を、材料の形状を変形させたり、不純物を添加したりすることなく、微細化し、更には結晶方位を揃えて結晶を成長させること、及び原子スケールの組成傾斜構造を形成させることができる高性能材料の製造方法を提供する。
高重力場における温度条件を材料の再結晶温度に近づけるほど、結晶がより微細化される。
用途利用分野 結晶性機能材料、熱電材料、半導体材料
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立大学法人 熊本大学, 独立行政法人日本原子力研究開発機構, . 黄 新▲ショウ▼, 真下 茂, 小野 正雄, 冨田 健, 沢井 友次, 長壁 豊隆, 毛利 信男, . 高性能材料の製造方法. 特開2006-207011. 2006-08-10
  • C22F   1/16     
  • C22F   3/00     

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