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Si系結晶の製造方法 新技術説明会

シーズコード S100003755
掲載日 2010年12月3日
研究者
  • 中嶋 一雄
  • 藤原 航三
  • 宇佐美 徳隆
  • 宇治原 徹
  • 我妻 幸長
技術名称 Si系結晶の製造方法 新技術説明会
技術概要 キャスト成長用坩堝11の底部に、少なくともSiを含む結晶片を配置し、坩堝11内において、結晶片の上方にSi原料を配置する。次に、キャスト成長用坩堝11を加熱して結晶片の少なくとも一部が残存するようにSi原料を溶解し、Si融液14を形成する。次いで、Si融液14を冷却及び凝固させることにより、結晶片の残部12AからSi系結晶を一方向成長させる。そして、Si系結晶を製造するに際し、Si系結晶の成長方位の制御は、Si系結晶を一方向成長させる工程において、その成長速度を制御するか、Si融液を形成する工程において、融液中にGe,C,Ga,In,Al,P,As,Sb及びBからなる群より選ばれる少なくとも一種の追加元素を添加するか、又は、成長速度の制御及び追加元素の添加を併用する。
画像

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研究分野
  • 結晶成長技術・装置
  • 半導体の結晶成長
展開可能なシーズ Si系結晶の結晶方位を自在に制御することができ、Si系結晶から切り出して得たウエハが所定のエッチング操作後において、形状方位の揃ったテクスチャー構造を有するように、Si系結晶内に形状方位の揃った構造を簡易に形成するSi系結晶の製造方法を提供する。
優先方位に対する結晶方位の整列メカニズムが働き、Si系結晶中には形状方位が揃った組織構造が形成できる。また結晶片の残部が融液の底部の全体を覆うようにすることにより、形状方位の揃った柱状組織を成長させることができる。
用途利用分野 Si太陽電池
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 学校法人東北大学, . 中嶋 一雄, 藤原 航三, 宇佐美 徳隆, 宇治原 徹, 我妻 幸長, . Si系結晶の製造方法. 特開2007-022815. 2007-02-01
  • C30B  29/52     
  • C30B  11/10     
  • H01L  31/04     

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