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量子半導体装置およびその製造方法

シーズコード S100003800
掲載日 2010年12月3日
研究者
  • 山口 浩一
技術名称 量子半導体装置およびその製造方法
技術概要 半導体量子ドットデバイス10は、GaAs基板11上に、GaAsバッファ層12を介して、第1のInAs量子ドット13、GaAsスペーサ層14、第2のInAs量子ドット15、GaAsキャップ層16を有している。また、このGaAsキャップ層16には、第2のInAs量子ドット15に接続するナノホール17が自己形成されている。また、ナノホール17には金属等の導電体が充填されて、ナノホール電極18を構成している。この場合、ナノホール17は、GaAsキャップ層16の表面領域において、第2のInAs量子ドット15の真上にのみ自己形成されるナノメータオーダの細孔である。そして、ナノホール電極18と、これに接続する第2のInAs量子ドット15とで、ナノコンタクト電極を構成している。すなわち、上層のInAs量子ドット15をコンタクトとして使用し、この第2のInAs量子ドット15を介して、下層のInAs量子ドット13に対するキャリアの出し入れを個別に制御する。
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研究分野
  • 固体デバイス一般
  • 固体デバイス製造技術一般
展開可能なシーズ ターゲットとする量子ドットへの効率的なキャリアの出し入れを可能にする量子半導体装置を提供する。
ターゲットとする量子ドットへの効率的なキャリアの出し入れが可能となり、また、量子ドットのスケールに応じた微細な配線構造を有する量子半導体装置が得られる。
用途利用分野 量子ドット構造、量子半導体装置
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立大学法人電気通信大学, . 山口 浩一, . 量子半導体装置およびその製造方法. 特開2006-066463. 2006-03-09
  • H01L  33/16     
  • H01L  29/06     
  • H01L  31/10     

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