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ダイヤモンドライクカーボン膜の製造方法

シーズコード S100003805
掲載日 2010年12月3日
研究者
  • 飯島 貴之
  • チュウ チャオキョン
  • 田中 勝己
技術名称 ダイヤモンドライクカーボン膜の製造方法
技術概要 基体の表面上に、触媒作用を有する遷移金属から選ばれる1種以上を複合した金属化合物を含有する溶液を塗布し、この基体の表面上に金属化合物を形成させた後に、金属化合物が表面上に形成された基体を、炭化水素ガス含有雰囲気中で1400℃以上に加熱する。これにより、常圧において、基体の表面上に、炭化水素ガスの熱分解によるダイヤモンドライクカーボン膜を形成する。金属化合物の溶液を塗布して形成させる割合は、金属化合物の金属原子の数量が、基体を構成する原子の単位表面積当たりの原子の個数の約10分の1となる割合とするのが好ましい。基体には、シリコンやガリウムヒ素などの単結晶半導体材料を用いることができる。金属化合物としては、溶媒に容易に溶解するものが好ましく、金属塩、例えば硝酸ニッケルNi(NO・6HOを用いることができる。また金属化合物を溶解又は微細分散させる溶媒は、水、低級アルコール又はこれらの混合物を用いることができる。触媒金属としては、Ni、Fe、Co、Ru等の遷移金属が挙げられる。
研究分野
  • 薄膜成長技術・装置
  • 半導体薄膜
展開可能なシーズ 常圧で成膜さすることを可能にし、簡便な設備によっても成膜でき、更に、生産性の向上をも図ることのできるダイヤモンドライクカーボン膜の製造方法を提供する。
ダイヤモンドライクカーボン被膜を、工業上実施可能な温度範囲にて、密着性良く成膜できる。
用途利用分野 可変バンドギャップ半導体、電子エミッタ材料、平面ディスプレイ
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立大学法人電気通信大学, . 飯島 貴之, チュウ チャオキョン, 田中 勝己, . ダイヤモンドライクカーボン膜の製造方法. 特開2005-226162. 2005-08-25
  • C23C  16/27     
  • C30B  29/04     

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