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ホウ素ドープ2層カーボンナノチューブおよびその製造方法

シーズコード S100003822
掲載日 2010年12月3日
研究者
  • 遠藤 守信
  • 金 隆岩
  • 林 卓哉
  • 村松 寛之
技術名称 ホウ素ドープ2層カーボンナノチューブおよびその製造方法
技術概要 2層カーボンナノチューブとホウ素元素を混合し、混合物を不活性ガス雰囲気の加熱炉中で熱処理を行い、2層カーボンナノチューブの六員環炭素原子をホウ素原子に置換するとともに隣接する2層カーボンナノチューブを融合させて径大な2層チューブ構造に形成するか、または隣接する2層カーボンナノチューブの外層同士をホウ素原子を含むチエーンを介して共有結合させて、連結したチューブ構造に形成するホウ素ドープ2層カーボンナノチューブの製造方法である。2層カーボンナノチューブにホウ素元素をホウ素換算で0.01~0.1wt%混合し、混合物は、1400~1600℃の温度範囲で熱処理を行う。
画像

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研究分野
  • 固体デバイス材料
  • 固体デバイス製造技術一般
  • 固体の製造・処理一般
展開可能なシーズ 2層カーボンナノチューブ(DWNT)のサイズコントロールを行えるホウ素ドープ2層カーボンナノチューブの製造方法を提供する。
サイズコントロール、形状コントロールを低温で行えるから、製造が容易となり、また種々の用途に用いることができる。
用途利用分野 リチウム電池、電極材、触媒担体
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 学校法人信州大学, . 遠藤 守信, 金 隆岩, 林 卓哉, 村松 寛之, . ホウ素ドープ2層カーボンナノチューブ、連結2層カーボンナノチューブおよびその製造方法. 特開2006-282408. 2006-10-19
  • C01B  31/02     
  • B82B   1/00     
  • B82B   3/00     

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