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Ge系結晶の製造方法

シーズコード S100003997
掲載日 2010年12月6日
研究者
  • 中嶋 一雄
  • 藤原 航三
  • 宇佐美 徳隆
  • 宇治原 徹
  • 我妻 幸長
技術名称 Ge系結晶の製造方法
技術概要 キャスト成長用坩堝11の底部に、少なくともGeを含む結晶片を配置し、坩堝11内において、結晶片の上方に少なくともGeを含む原料を配置する。次に、キャスト成長用坩堝11の底部を冷却しつつ、坩堝11を加熱して、結晶片の少なくとも一部が残存するように原料を溶解して、融液14を形成する。次いで、融液14を冷却及び凝固させることにより、結晶片の残部12AからGe系結晶を一方向成長させる。この際に、成長速度を0.1~10mm/分の範囲とすることにより、Ge系結晶の成長方位を[100]方位に制御する。又は、Ge系結晶を一方向成長させるに際し、融液14中に追加元素としてSiを0.1~10原子%の範囲で添加することにより、Ge系結晶の成長方位を[110]方位に制御する。加熱は、例えば、坩堝11の下方から坩堝11の底部に直接当るようにして冷却ガスを導入するか、又は坩堝11の下部を加熱炉の加熱領域外に位置するようにし、底部を冷却して結晶片の少なくとも一部が残存するようにする。太陽電池は、このGe系結晶から作製するGe系結晶基板を含む。
画像

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研究分野
  • 結晶成長技術・装置
  • 半導体の結晶成長
展開可能なシーズ Ge系結晶の結晶方位を自在に制御することができ、Ge系結晶から切り出して得たウエハが所定のエッチング操作後において、形状方位の揃ったテクスチャー構造を有するように、Ge系結晶内に形状方位の揃った構造を簡易に形成するGe系結晶の成長方法、Ge系結晶、その基板及び太陽電池を提供する。
優先方位に対する結晶方位の整列メカニズムが働き、Ge系結晶中には形状方位が揃った組織構造が形成できる。また結晶片の残部が融液の底部の全体を覆うようにすることにより、形状方位の揃った柱状組織を成長させることができる。
用途利用分野 Ge系結晶基板、太陽電池
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 学校法人東北大学, . 中嶋 一雄, 藤原 航三, 宇佐美 徳隆, 宇治原 徹, 我妻 幸長, . Ge系結晶の製造方法. 特開2005-035817. 2005-02-10
  • C30B  29/52     
  • C30B  11/10     
  • H01L  31/04     

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