TOP > 技術シーズ検索 > 酸化物エピタキシャル薄膜およびその作製方法

酸化物エピタキシャル薄膜およびその作製方法 新技術説明会

シーズコード S100003999
掲載日 2010年12月6日
研究者
  • 佐多 教子
  • 服部 武志
  • 河村 純一
  • 山田 鉄平
技術名称 酸化物エピタキシャル薄膜およびその作製方法 新技術説明会
技術概要 100℃以下に保持した基板上に、ラジカル酸素を5x1014~5x1015atomos/cm/s照射しながら、パルスレーザ蒸着法(PLD法)により酸化物膜を基板上に成膜する。次いで、1気圧酸素又は1気圧空気中で、酸化物膜の加熱温度を600℃~750℃、加熱時間を1~10時間でアニール処理することにより、ペロブスカイト型酸化物エピタキシャル薄膜を作製する。例えば、室温にて、ArFエキシマーレーザー光をターゲットSrZr0.950.05に入射し、単層膜をMgO基板上に蒸着する。これにより、基板との間に格子不整合が生じていても、基板の格子に揃った酸化物薄膜を得ることができる。室温付近での成膜が可能であり、この場合は、成膜装置には基板加熱機構を必要とせず、基板加熱機構からの不純物による薄膜汚染がなくなる。また基板温度の上昇・降下が不要になるので、薄膜作製プロセスも簡略化することができる上に、バッチ処理によってエピタキシャル薄膜の作製に必要な時間も短縮できる。
研究分野
  • 結晶成長技術・装置
  • 薄膜成長技術・装置
  • 酸化物薄膜
展開可能なシーズ 成膜条件を室温程度の低温と容易なものとし、成膜装置の構造を簡素化することのできる、ペロブスカイト型酸化物エピタキシャル薄膜の作製方法を提供する。
格子歪を含んだ酸化物単層膜の作製が容易になる。また単層の酸化物薄膜においても、格子歪を導入することにより、誘電率や磁気的性質等を各種デバイスに適するように向上させることが可能になる。
用途利用分野 高温超電導体、強誘電体、磁性体、プロトン導電体
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 学校法人東北大学, . 佐多 教子, 服部 武志, 河村 純一, 山田 鉄平, . ペロブスカイト型酸化物エピタキシャル薄膜の作製方法. 特開2005-053755. 2005-03-03
  • C30B  29/22     
  • C23C  14/28     
  • C23C  14/58     
  • C30B  23/08     
  • C30B  29/24     
  • C30B  33/02     

PAGE TOP