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光起電力素子、太陽電池、及び光起電力素子の製造方法

シーズコード S100004000
掲載日 2010年12月6日
研究者
  • 宇佐美 徳隆
  • 中嶋 一雄
  • 宇治原 徹
  • 藤原 航三
技術名称 光起電力素子、太陽電池、及び光起電力素子の製造方法
技術概要 光起電力素子10は、p型半導体部としてのp型Si半導体基板11と、この上方に形成された、n型半導体部としてのn型Si半導体層12と、これらの間に設けられた真性半導体層13とを具えている。真性半導体層13は、Geからなる複数の島状部13Aが平面上に配列されるとともに、厚さ方向に積層されることにより島状構造を呈する。また、真性半導体層13内には複数の介在層13Bが形成されており、厚さ方向に積層された島状部13Aを各層毎に分断している。真性半導体層13は複数の島状部13Aから構成されているので、真性半導体層13は、その構造に起因して比較的大きな内部電界を有する。光起電力素子10の真性半導体層13内に光照射によって生じた電子正孔対は、内部電界によって分離され、再結合することなく真性半導体層13内を伝播し、p型Si半導体基板11及びn型Si半導体層13を介して電極層に流れ込み、光電流に寄与するようになる。したがって、広範な光スペクトルを利用した高効率の発電を行うことができる。
画像

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研究分野
  • 光導電素子
  • 太陽電池
  • 光伝導,光起電力
展開可能なシーズ 広範な光スペクトルを利用した高効率の発電を行うことができる新規な光起電力素子を提供する。
真性半導体層は、その構造に起因して比較的大きな内部電界を有するようになる。したがって、光吸収によって真性半導体層内に生じた電子正孔対は、内部電界によって分離され、再結合することなく真性半導体層内を伝播し、光電流に寄与するようになる。これにより、広範な光スペクトルを利用した高効率の発電を行うことができる。
用途利用分野 pin接合型太陽電池
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 学校法人東北大学, . 宇佐美 徳隆, 中嶋 一雄, 宇治原 徹, 藤原 航三, . 光起電力素子、太陽電池、及び光起電力素子の製造方法. 特開2005-072192. 2005-03-17
  • H01L  31/04     

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