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発光素子及びその製造方法

シーズコード S100004002
掲載日 2010年12月6日
研究者
  • 大友 明
  • 川崎 雅司
  • 塚崎 敦
技術名称 発光素子及びその製造方法
技術概要 発光素子は、基板1と、基板1上に形成されたバッファ層2と、バッファ層2上に形成された酸化亜鉛層3とを具える。基板1は、酸化亜鉛の格子定数と整合性が高い(格子定数が近い)材料から成り、例えば、ScAlMgO、ScAlZnO、ScAlCoO、ScAlMnO、ScGaZnO、ScGaMgO、ScAlZn、ScAlZn、ScAlZn10、ScGaZn、等のいずれかを含む。バッファ層2は、酸化亜鉛又はMgZnOのいずれかから成り、約1000℃以上でアニール処理が施されている。このようなアニール処理により、バッファ層2は基板1からの歪みから部分的に緩和し、バッファ層2の表面は原子レベルで平坦に再構成される。酸化亜鉛層3は、アニール処理されたバッファ層2上に形成されるため、ほぼ完全に残留歪みを緩和し、バルク結晶に近い格子定数を示す。
画像

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研究分野
  • 発光素子
  • 固体デバイス製造技術一般
展開可能なシーズ アニールされたバッファ層上に形成されたバルク単結晶と同等以上の品質を持つ酸化亜鉛層を具える発光素子及びその製造方法を提供する。
基板上にバッファ層を形成し、このバッファ層をアニールし、その上に酸化亜鉛薄膜層を形成することにより、この酸化亜鉛薄膜層の光・電気特性を著しく向上させることができる。アニールされたバッファ層は原子レベルで平滑な表面を有するため、酸化亜鉛薄膜層を完全な2次元成長によって堆積することができる。
用途利用分野 紫外発光素子、面発光レーザ、エレクトロルミネセンス素子
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 学校法人東北大学, . 大友 明, 川崎 雅司, 塚▲崎▼ 敦, . 発光素子及びその製造方法. 特開2005-108869. 2005-04-21
  • H01L  33/00     

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