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結晶成長方法、バルク単結晶成長用バルク予備結晶、及びバルク単結晶成長用バルク予備結晶の作製方法

シーズコード S100004005
掲載日 2010年12月6日
研究者
  • 中嶋 一雄
  • 我妻 幸長
  • 宇佐美 徳隆
  • 藤原 航三
  • 宇治原 徹
技術名称 結晶成長方法、バルク単結晶成長用バルク予備結晶、及びバルク単結晶成長用バルク予備結晶の作製方法
技術概要 多数の結晶片を第1の種結晶として結晶成長を行い、異なる面方位の複数の結晶面を有するバルク予備結晶を成長させる。次いで、バルク予備結晶において、最も面積増加率の高い結晶面を優先面として決定し選択する。次に、優先面を成長面に有する単結晶を準備し、単結晶を第2の種結晶として結晶成長を行い、バルク単結晶を得る。好ましくは、バルク予備結晶及びバルク単結晶がSi系半導体であり、第1の種結晶がGe若しくはSiからなり、第2の種結晶がSiGeからなる。又は、バルク予備結晶及びバルク単結晶がGaAs系化合物半導体であり、第1の種結晶がGaAs若しくはInGaAsからなり、第2の種結晶がGaAs若しくはInAsからなる。またバルク予備結晶の優先面が(110)面±10度である。
研究分野
  • 結晶成長技術・装置
展開可能なシーズ 種結晶以外からの結晶粒の発生及び拡大を抑制し、高品質のバルク単結晶を作製する。
第1の種結晶は種々の面方位を有するため、結晶成長を通じて、異なる面方位の複数の結晶面を有するバルク予備結晶が得られる。第2の種結晶成長中に発生した結晶核は、優先面から成長した優先方位を持つ結晶粒内に取り込まれるようになるため、結晶核は結晶粒として拡大せず、多結晶化を抑制でき、高品質の単結晶を常に得ることができる。
用途利用分野 光通信用基板材料、電子デバイス
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 学校法人東北大学, . 中嶋 一雄, 我妻 幸長, 宇佐美 徳隆, 藤原 航三, 宇治原 徹, . 結晶成長方法、バルク単結晶成長用バルク予備結晶、及びバルク単結晶成長用バルク予備結晶の作製方法. 特開2005-119900. 2005-05-12
  • C30B  11/00     
  • C01G  17/00     
  • C01G  28/00     
  • C30B  29/42     

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