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コバルトドープ二酸化チタン膜の作製方法、コバルトドープ二酸化チタン膜、及び多層膜構造

シーズコード S100004007
掲載日 2010年12月6日
研究者
  • 川崎 雅司
  • 福村 知昭
  • 大友 明
  • 豊崎 秀海
  • 山田 康博
  • 大野 英男
  • 松倉 文ひろ
技術名称 コバルトドープ二酸化チタン膜の作製方法、コバルトドープ二酸化チタン膜、及び多層膜構造
技術概要 サファイア等の基板11上に、二酸化チタン膜12を形成する。次いで、二酸化チタン膜12上にコバルトをドープした二酸化チタン膜13を形成する。二酸化チタン膜12は、その上に形成されるコバルトドープ二酸化チタン膜13に対してバッファ層及び下地層の役割を果たす。このため、二酸化チタン膜12は、300℃~500℃の温度で形成し、その厚さが5nm~100nmであることが好ましい。更に、その形成後、減圧雰囲気下でアニール処理することが好ましい。また原子レベルの表面平坦性を得るため、コバルトドープ二酸化チタン膜13は、300℃~500℃の温度で形成することが好ましい。コバルトドープ二酸化チタン膜13は、レーザアブレーション法などを用いて形成することができる。そして、コバルトドープ二酸化チタン膜13の形成時の雰囲気中における酸素濃度を制御することにより、内部における酸素欠損量を制御し、これに基づいてそのキャリア濃度を制御する。このキャリア濃度を所定の濃度以上に設定することにより、コバルトドープ二酸化チタン膜13は強磁性的性質を呈するようになる。
画像

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展開可能なシーズ 表面が原子レベルで平坦であって結晶性に優れ、強磁性的性質を自在に制御することができるコバルトドープ二酸化チタン膜を提供する。
コバルトドープ二酸化チタン膜の形成時の雰囲気中における酸素濃度を制御することにより、内部における酸素欠損量を制御することができ、強磁性的性質が依存するキャリア濃度を制御することができる。
用途利用分野 光アイソレータ、磁気抵抗デバイス、磁気センサ、スピン輸送素子
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 学校法人東北大学, . 川崎 雅司, 福村 知昭, 大友 明, 豊崎 秀海, 山田 康博, 大野 英男, 松倉 文▲ひろ▼, . コバルトドープ二酸化チタン膜の作製方法、コバルトドープ二酸化チタン膜、及び多層膜構造. 特開2005-206890. 2005-08-04
  • C23C  14/08     
  • H01F  10/16     
  • H01F  41/22     

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