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薄膜及びp型酸化亜鉛薄膜製造方法と半導体デバイス

シーズコード S100004008
掲載日 2010年12月6日
研究者
  • 川崎 雅司
  • 大友 明
  • 福村 知昭
  • 塚崎 敦
  • 大谷 亮
技術名称 薄膜及びp型酸化亜鉛薄膜製造方法と半導体デバイス
技術概要 所定の第1温度tにおいて薄膜を成長させながらドーパントをドーピングする低温高ドープ層成長ステップと、薄膜の成長を中断し第1温度tより高い所定の第2温度Tにおいて薄膜をアニール処理するアニール処理ステップと、第2温度tにおいて薄膜を成長させる高温低ドープ層成長ステップとを含ませて薄膜を製造する。ここで、温度Tの定義は、時間tにおける最初と最後との温度の相加平均値である(T=(T1S+T1E)/2)。この場合、薄膜の成長中に多段階アニール処理することによって、高い結晶性及び表面平坦性を維持したまま、高濃度でドーパントをドーピングすることが可能になる。また、コンピュータ制御されたレーザを熱源とする薄膜製造装置を用いることにより、通常の抵抗加熱ヒータでは困難な急激な温度昇降を行うことが可能になる。従って、酸化亜鉛薄膜の高い結晶性、表面平坦性を維持しつつ、窒素を高濃度にドーピングすることができる。これにより、p型酸化亜鉛単結晶薄膜を得ることができる。
画像

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研究分野
  • 薄膜成長技術・装置
  • 酸化物薄膜
  • 固体デバイス一般
展開可能なシーズ 高い結晶性及び表面平坦性を実現すると共に、高濃度でドーパントをドーピングすることができる薄膜製造方法を提供する。
実際にp型酸化亜鉛薄膜を製造することができ、紫外線発光素子だけでなく酸化亜鉛バイポーラトランジスタなどの電子デバイスの形成も可能となる。
用途利用分野 薄膜製造装置
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 学校法人東北大学, . 川崎 雅司, 大友 明, 福村 知昭, 塚▲崎▼ 敦, 大谷 亮, . 薄膜及びp型酸化亜鉛薄膜製造方法と半導体デバイス. 特開2005-223219. 2005-08-18
  • H01L  33/00     
  • H01L  21/205    

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