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シリコンの製造方法

シーズコード S100004076
掲載日 2010年12月6日
研究者
  • 福中 康博
  • 野平 俊之
  • 安田 幸司
  • 萩原 理加
技術名称 シリコンの製造方法
技術概要 シリコンを主とする材料から構成される陰極を用いて溶融塩中で電解還元するシリコンの製造方法であって、陰極にケイ素酸化物を接触させシリコンを製造する。製造されたシリコンは、金属不純物の含有量が100ppm以下で、ホウ素およびリンの不純物の含有量が1ppm未満である。ケイ素酸化物は、5~30重量%のシリコンを含み、粉末を圧縮成形し焼結した、空隙率30~80%二酸化ケイ素成形体である。電解還元の陰極電位が0.6~1.2Vで、電解還元温度が500~1000℃である。溶融塩が塩化カルシウム、塩化リチウム、塩化ナトリウム、塩化カリウム、または混合塩を用いる。
研究分野
  • 電解装置
展開可能なシーズ 陰極にシリコンを用いた二酸化ケイ素の電解還元により、陰極由来の不純物の混入がないシリコンの製造方法を提供する。
純度が太陽電池級(SOG)である。さらに、二酸化ケイ素として多孔質二酸化ケイ素粉末成形体を用い、粉末成形体中にシリコン粉末を所定量混入することにより、シリコン粉末を混入しない場合より還元速度の向上がみられ、高効率にシリコンを製造することができる。また、シラン系ガスを利用するプロセスよりも製造に必要なエネルギーが少なく、コストダウンにつながる。
用途利用分野 シリコン
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 学校法人京都大学, . 福中 康博, 野平 俊之, 安田 幸司, 萩原 理加, . シリコンの製造方法. 特開2006-321688. 2006-11-30
  • C25B   1/00     
  • C01B  33/023    

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