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被膜窒化方法、被膜形成基板および窒化処理装置

シーズコード S100004094
掲載日 2010年12月6日
研究者
  • 横谷 篤至
技術名称 被膜窒化方法、被膜形成基板および窒化処理装置
技術概要 窒素含有気体雰囲気中に波長172nm~126nmの真空紫外光を照射することにより、窒素含有気体が分解されて被膜形成基板Kの表面に吸着される。被膜形成基板K表面に吸着した気体分子に真空紫外光を照射することによって表面反応が発生して被膜形成基板K表面が窒化される。したがって、この被膜窒化方法では、窒素含有気体雰囲気中で真空紫外光を照射することで被膜形成基板表面を窒化することができるので、基板を加熱したり、プラズマを発生させる必要が無くなる。この結果、基板にダメージを与えることなく基板の最表面を窒化することができる。この被膜窒化方法では、窒素含有気体としてアンモニアを使用でき、真空紫外光により分解されるアンモニアを利用して被膜形成基板の窒化を行うことができる。窒素含有気体を分解、吸着するための真空紫外光として、126nmの真空紫外光を使用すると共に、表面反応を生じさせるための真空紫外光として172nmの真空紫外光を使用する。これにより、効率よく分解、吸着および表面反応を行うことができ、窒化の効率を高めることができる。
画像

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研究分野
  • 固体デバイス製造技術一般
  • 窒素とその化合物
展開可能なシーズ 基板にダメージを与えることなく基板の最表面を窒化させる技術を提供する。
窒素含有気体雰囲気中に真空紫外光を照射して窒素含有気体を分解し、被膜形成基板の表面に吸着させると共に、吸着した気体分子に真空紫外光を照射して表面反応を生じさせ、被膜形成基板表面の窒化を行うので、基板にダメージを与えることなく基板の最表面を窒化させることができる。
用途利用分野 集積回路、高密度集積回路、超LSI、ゲート酸化膜
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 学校法人宮崎大学, . 横谷 篤至, . 被膜窒化方法、被膜形成基板および窒化処理装置. 特開2007-128924. 2007-05-24
  • H01L  21/318    
  • H01L  29/78     

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