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ジルコニア粉末、該ジルコニア粉末を用いて得られるチタン酸バリウム系半導体磁器組成物およびその製造方法

シーズコード S100004141
掲載日 2010年12月6日
研究者
  • 武田 博明
  • 塩嵜 忠
技術名称 ジルコニア粉末、該ジルコニア粉末を用いて得られるチタン酸バリウム系半導体磁器組成物およびその製造方法
技術概要 ZrOを主成分とし、ZrOを1~50mol%の範囲内で含有するジルコニア粉末、およびジルコニア粉末を半導体化剤として用いたチタン酸バリウム系半導体磁器組成物の製造方法であって、Ba1-2x(BiM)TiO(但し、0≦x<0.35、MはKおよび/またはNaである)を含む母体とジルコニア粉末とを接触させた状態で、温度1200~1400℃、酸素分圧0.05~1.0、加熱時間0.5~10時間の範囲内に設定して母体の焼成および半導体化を行う熱処理工程を含む。なお、Ba1-2x(BiMTiOに、Nb、Ta、希土類元素から選択される1種以上が添加されてなる。
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研究分野
  • セラミック・陶磁器の製造
  • 圧粉,焼結
展開可能なシーズ 非鉛系でかつ比較的高温のキュリー温度における良好なPTCR特性を有するチタン酸バリウム系磁器組成物の製造に用いられるジルコニア粉末、ジルコニア粉末を用いて得られるチタン酸バリウム系半導体磁器組成物およびその製造方法を提供する。
チタン酸バリウム系磁器組成物を製造効率良く得ることができる。
用途利用分野 チタン酸バリウム系半導体磁器
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 学校法人奈良先端科学技術大学院大学, . 武田 博明, 塩嵜 忠, . ジルコニア粉末、および該ジルコニア粉末を用いて得られるチタン酸バリウム系半導体磁器組成物の製造方法. 特開2007-001821. 2007-01-11
  • C04B  35/48     
  • C04B  35/468    
  • H01B   3/12     
  • H01L  41/187    
  • H01L  41/24     

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