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薄膜結晶化方法及び装置

シーズコード S100004145
掲載日 2010年12月6日
研究者
  • 白井 肇
技術名称 薄膜結晶化方法及び装置
技術概要 装置は、マイクロプラズマジェット40を生成する石英パイプ34と、石英パイプ34内に高周波電磁界を発生するコイル33と、コイル33に電磁波を供給する高周波電源31と、高周波電源31及びコイル33間の整合を図るマッチング回路30と、ガス導入管37を通じて石英パイプ34にアルゴン、ヘリウム、酸素、窒素等のプラズマ生成ガスを供給するガス供給源36と、プラズマ生成ガスの流量を制御する流量調節器35とを備え、アモルファスシリコン膜51が形成された基板50とマイクロプラズマジェット40との相対位置を変えるための移動手段を備える。ここで、細管に導入したプラズマ生成ガスを細管の先端から大気中に噴出させて細管の先端にマイクロプラズマジェットを生成し、大気中で非結晶薄膜に照射して非結晶薄膜を溶融する。この場合、大掛かりな装置が不要である。また、高温のプラズマを用いているため、極めて短時間で非結晶薄膜を溶融することができる。また、細管を絶縁体で形成し、細管の周囲に設けたコイル33に高周波電力を供給して細管内部に誘導電場を生成し、細管に導入したプラズマ生成ガスをプラズマ化する。
画像

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研究分野
  • 結晶成長技術・装置
  • プラズマ生成・加熱
展開可能なシーズ アモルファス薄膜を簡単な装置により短時間で結晶化することができる薄膜結晶化方法を提供し、また、それを実施する装置を提供する。
レーザアニールに比べて、極めて簡単な構成の装置で、アモルファス薄膜を溶融し、再結晶化することができ、また、大気中において短時間でアモルファス薄膜の溶融・再結晶化が可能である。そのため、多結晶薄膜を低コストで製造することができる。
用途利用分野 アモルファス薄膜
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 学校法人埼玉大学, . 白井 肇, . 薄膜結晶化方法. 特開2006-060130. 2006-03-02
  • H01L  21/20     
  • H01L  21/336    
  • H01L  29/786    

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