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半導体装置及びその製造方法

シーズコード S100004170
掲載日 2010年12月6日
研究者
  • 立野 洋人
技術名称 半導体装置及びその製造方法
技術概要 Bイオンがドーピングされたp型のSi基板1の表面の2箇所にn型のエミッタ領域2e及びコレクタ領域2cを形成する。例えば、Si基板1の厚さは625±15μm程度であり、その比抵抗は10~20(Ω・cm)であり、その表面は(1-1-1)面である。エミッタ領域2e及びコレクタ領域2cの形成に当たっては、二次イオン質量分析器により加速電圧を20kV、イオン電流を10μAとして、希ガス元素のイオンであるAr及びHeを2時間程度、Si基板1の2箇所にイオン照射する。この結果、Si基板1の格子原子が蹴り出され、空格子が生じ、Si基板1の表面から比較的深い位置までダングリングボンドが生成される。ダングリングボンドが生成された領域がn型のエミッタ領域2e及びコレクタ領域2cとなる。エミッタ領域2eとコレクタ領域2cとの間にp型の領域が存在し、p型の領域がベースとして作用する。つまり、バイポーラトランジスタが形成される。そして、バイポーラトランジスタは、ダングリングボンドを用いて構成されるため、従来のn型不純物及びp型不純物を用いて構成されたバイポーラトランジスタと比較して、熱的安定性に優れる。
画像

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研究分野
  • 固体デバイス製造技術一般
  • 固体デバイス一般
  • ダイオード
展開可能なシーズ 高い耐熱性を得ることができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
n型半導体領域が、ダングリングボンドを電子の供給源として構成されているため、n型不純物を電子の供給源とする従来の半導体装置と比較して、高い耐熱性を得ることができる。
用途利用分野 希ガス元素、Si基板
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立大学法人 鹿児島大学, . 立野 洋人, . 半導体装置及びその製造方法. 特開2006-270074. 2006-10-05
  • H01L  21/331    
  • H01L  29/732    

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