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微粒子分散絶縁膜の製造方法、これを用いたメモリ素子、発光素子の製造方法

シーズコード S100004180
掲載日 2010年12月6日
研究者
  • 東 清一郎
技術名称 微粒子分散絶縁膜の製造方法、これを用いたメモリ素子、発光素子の製造方法
技術概要 この微粒子分散絶縁膜の製造方法は、基板11上に半導体成分を過剰に含む組成の絶縁膜150を形成し、プラズマ発生装置50によるプラズマジェットを用いて絶縁膜150をアニールし、絶縁膜150中に含まれる半導体成分を相分離させることによって半導体微粒子152を形成する。これにより、絶縁膜150から絶縁体151中に結晶構造を有する半導体微粒子152が点在する微粒子分散絶縁膜15が形成される。半導体成分を過剰に含む組成の絶縁膜150は、組成は特に問わないが、Si又はGeを過剰に含むSiO:0<x≦2、または、SiGe1-(x+y):0<x≦1、0<x≦1及び0<x+y≦1なる組成の絶縁膜150がよい。このような組成の絶縁膜150から、電荷保持ノード密度の高い微粒子分散絶縁膜15又はキャリアの発光再結合中心密度の高い微粒子分散絶縁膜15を効率的に製造することができる。絶縁膜150の膜厚は、例えばメモリ素子を製造する場合においては、10~100nmにするのがよい。これにより、駆動電圧が低く、データ書き込みや消去に要する時間が短く応答性の高いメモリ素子を製造できる。
画像

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研究分野
  • 絶縁材料
  • 固体デバイス製造技術一般
  • 固体デバイス材料
展開可能なシーズ ガラス等の基板を含む種々の基板上に作製することができ、微粒子分散絶縁膜中の半導体微粒子の面密度が高く、かつ、均一な大きさで膜厚方向で広範囲にわたって均一な面密度の半導体微粒子を有する微粒子分散絶縁膜の製造方法、これを用いたメモリ素子、発光素子の製造方法を提供する。
駆動電圧が低く、データ書き込みみや消去に要する時間が短く応答性の高いメモリ素子を製造することができる。
用途利用分野 集積回路、高速熱処理法、プラズマジェット、
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 学校法人広島大学, . 東 清一郎, . 微粒子分散絶縁膜の製造方法、これを用いたメモリ素子、発光素子の製造方法. 特開2006-278625. 2006-10-12
  • H01L  21/316    
  • H01L  21/20     
  • H01L  21/8247   
  • H01L  29/788    
  • H01L  29/792    
  • H01L  27/115    
  • H01L  21/265    
  • H01L  33/26     

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