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感光性材料の積層構造および微細パターン形成方法

シーズコード S100004189
掲載日 2010年12月6日
研究者
  • 堀内 敏行
  • 鈴木 義隆
  • 塩見 隆
技術名称 感光性材料の積層構造および微細パターン形成方法
技術概要 半導体ウエハなどの基板1上に、レジストなどの感光性材料を2層に重ねている。上層感光性材料3は下層感光性材料2を感光させるのに使用する広義の露光光線に対し透過率の良い材料とし、下層感光性材料2は、上層感光性材料3が感光する広義の露光光線に対してほとんど感光しない材料とする。さらに、上層感光性材料3は、その厚さを、下層感光性材料2の露光に用いる光線が上層感光性材料3を通過する時、上層感光性材料3のない部分を通過する光と位相が概ね反転する厚さとする。下層感光性材料2を露光するのに用いる光線に対する上層感光性材料3の屈折率をn1、露光雰囲気の屈折率をn0、上層感光性材料3の膜厚をtとすれば、上層感光性材料3を通過する光と上層感光性材料3がない部分を通過する光との光路長の差はL=(n1-n0)tとなる。位相を反転するには、露光光線の露光雰囲気中での波長をλとする時、L=(2N+1)λ/2とすればよい。ここでNは0または正の整数である。したがって、上層感光性材料3の膜厚を大略t=(2N+1)λ/2(n1-n0)とすれば、位相を反転できる。
画像

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研究分野
  • 撮影,現像,焼付け,引伸し
  • 固体デバイス製造技術一般
  • 感光材料
展開可能なシーズ 上層感光性材料のパターンの線幅よりはるかに微細な線幅のパターンを、上層感光性材料のパターンの配置密度に対し、その倍密度で形成できるようにする。
上層感光性材料のパターンより微細な線幅のパターンを上層感光性材料のパターンの倍密度で形成することができる。これにより、集積回路や光デバイス回路の大幅な高密度化、高性能化を図ることができる。
用途利用分野 半導体集積回路、光素子、シリコンウエハ、リソグラフィ技術
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 学校法人東京電機大学, . 堀内 敏行, 鈴木 義隆, 塩見 隆, . 感光性材料の積層構造および微細パターン形成方法. 特開2005-019930. 2005-01-20
  • H01L  21/027    
  • G03F   7/11     
  • G03F   7/26     

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