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半導体発光素子、半導体発光素子実装体及び半導体発光素子の製造方法 新技術説明会

シーズコード S100004302
掲載日 2010年12月7日
研究者
  • 中村 篤志
  • 天明 二郎
  • 青木 徹
  • 田中 昭
技術名称 半導体発光素子、半導体発光素子実装体及び半導体発光素子の製造方法 新技術説明会
技術概要 この半導体発光素子は、(0001)面で、六方晶系SiC単結晶からなるクラッド層11と、ウルツ鉱構造で、禁制帯幅Eg=1.8eV以上、3.1eV未満のZnO系化合物半導体混晶からなり、クラッド層11とヘテロ接合をなす発光層12とを備える。発光層12は、例えば、n型Zn1-xCdO(0≦x≦0.7、特に0.07<x≦0.7)である。発光層12の上にn型クラッド層13と、n型クラッド層13上にオーミックコンタクト層14を備え、ダブルヘテロ構造を構成している。半導体発光素子によれば、室温で、赤色(1.8eV)から紫色(3.1eV)まで更に紫外光(3.3eV)の広いスペクトル範囲での発光が可能で、熱的に安定でしかも資源的枯渇のおそれの少ない半導体発光素子が得られる。特に、Zn1-xCdO(0≦x≦0.7)の組成xを変えることにより、フルカラー発光を可能にしているので、フルカラーをカバーする複数の(一群の)半導体発光素子それぞれの動作電圧の差が、全く異なる材料の半導体発光素子を組み合わせた場合に比して、小さくできる。
画像

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研究分野
  • 発光素子
  • 固体デバイス製造技術一般
  • 13‐15族化合物を含まない半導体‐半導体接合
展開可能なシーズ 熱力学的には許されないとされる組成のZnO系化合物半導体混晶の結晶成長を可能とし、これにより、室温で紫外~可視域の広範囲での発光が可能で、熱的に安定でしかも資源的枯渇のおそれの少ない半導体発光素子、半導体発光素子実装体及び半導体発光素子の製造方法を提供する。
ZnO系化合物半導体混晶の組成を変えることにより、フルカラーのスペクトル帯域を、ZnO系化合物半導体混晶という同一材料からなる複数の(一群の)半導体発光素子を用意できるため、これらのフルカラーをカバーする複数の(一群の)半導体発光素子のそれぞれの動作電圧の差が、全く異なる材料の半導体発光素子を組み合わせた場合に比して、小さくすることができる。
用途利用分野 発光ダイオード(LED)、半導体レーザダイオード(LD)
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立大学法人静岡大学, . 中村 篤志, 天明 二郎, 青木 徹, 田中 昭, . 半導体発光素子の製造方法. 特開2007-066986. 2007-03-15
  • H01L  33/28     
  • H01L  21/365    

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