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結晶成長方法及び結晶成長装置 新技術説明会

シーズコード S100004309
掲載日 2010年12月7日
研究者
  • 中村 篤志
  • 天明 二郎
  • 青木 徹
  • 田中 昭
技術名称 結晶成長方法及び結晶成長装置 新技術説明会
技術概要 結晶成長装置では、反応菅11は、基板41を内部に収納し、減圧する。加熱手段21は、基板41を成長温度まで加熱、維持する。原料ガス導入ライン13は、減圧された反応菅11中で、Zn元素の化合物ガスを含む1又は2以上の2族原料ガスを基板41の表面に成長圧力で供給する。中性ラジカル供給手段12、15は、減圧された反応菅11中で、基板41の表面にイオンが到達しないように、2族原料ガスの導入と同時若しくは交互に、窒素原子ラジカル及び酸素原子ラジカルを基板41の表面に成長圧力で供給する。反応菅11は、真空排気用ステンレス配管22から真空排気される。反応菅11の内部には、プラズマガスライン12と原料ガス導入ライン13が設けられる。プラズマガスライン12には、窒素、酸素、水素ガスボンベ51、52、54が接続され、それぞれバルブ55と65との間のマスフローコントローラ61、バルブ56と66との間のマスフローコントローラ62、及びバルブ58と68との間のマスフローコントローラ64によって流量が制御されてタンク回路83に接続される。マスフローコントローラ61、62、64によりガスの混合比を制御できる。
画像

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研究分野
  • 薄膜成長技術・装置
  • 酸化物薄膜
  • 結晶成長技術・装置
展開可能なシーズ 抵抗率の制御が広いダイナミックレンジで可能なp型のZnO系化合物半導体材料の結晶成長方法及び結晶成長装置を提供する。
結晶成長装置(リモートプラズマ励起MOCVD装置)では、従来あるMOCVD装置にプラズマ生成部と輸送部を加えて、反応過程にラジカルを導入し有機金属の分解を促進し、低温での結晶成長を可能にする。
用途利用分野 反応容器、中性ラジカル供給手段
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立大学法人静岡大学, . 中村 篤志, 天明 二郎, 青木 徹, 田中 昭, . 結晶成長方法及び結晶成長装置. 特開2007-165805. 2007-06-28
  • H01L  21/365    
  • H01L  21/205    

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