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カーボンナノチューブの製造方法および製造装置

シーズコード S100004311
掲載日 2010年12月7日
研究者
  • 永津 雅章
  • 荻野 明久
技術名称 カーボンナノチューブの製造方法および製造装置
技術概要 触媒金属を混入したグラファイト電極を用いて、ガス雰囲気中で、直流アーク放電により金属炭素複合クラスターを製造し、得られた複合クラスターを回収し、複合ナノサイズクラスターをシリコン基板上に蒸着堆積させ、シリコン基板に、負の電位を印加して、アルゴンプラズマを照射する、金属炭素複合クラスターをイオン衝撃により活性化する第1ステップと、第1ステップに続いて、シリコン基板に負の電位を印加して、炭化水素系混合ガスプラズマを照射する第2ステップとによりカーボンナノチューブを低温成長させて合成する。触媒金属は、ニッケル、鉄或いはコバルトと炭素である。炭化水素系混合ガスは、メタンまたはアセチレンと、水素、アルゴン、窒素、アンモニアおよびへリウムから選択されるガスからなる。混合ガスプラズマを照射する第2ステップにおけるバイアス電源の負電位を-100V~-200Vである。
画像

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研究分野
  • 固体デバイス材料
  • 固体デバイス製造技術一般
  • 化学装置一般
展開可能なシーズ カーボンナノチューブ合成において、基板加熱を行うことなく、プラズマイオンのエネルギー制御により、常温下において達成できる作製方法および作製装置を得る。
カーボンナノチューブ合成に不可欠であった基板加熱を行うことなく、プラズマイオンのエネルギー制御により、常温下においてカーボンナノチューブの作製することができる。これにより、基板材料としてガラスや樹脂材を用いることができ、カーボンナノチューブの応用を飛躍的に広げることができ、さらに作製コストの低減を図ることができる。
用途利用分野 カ-ボンナノチユ-ブ
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立大学法人静岡大学, . 永津 雅章, 荻野 明久, . カーボンナノチューブの製造方法および製造装置. 特開2007-186363. 2007-07-26
  • C01B  31/02     

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