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結晶成長方法および装置

シーズコード S012000034
掲載日 2002年1月29日
研究者
  • 熊川 征司
研究者所属機関
  • 静岡大学
研究機関
  • 静岡大学
技術名称 結晶成長方法および装置
技術概要 InGaAsなどのバルク混晶半導体は、その組成を変えると結晶定数が変化するため混晶薄膜の結晶定数と整合させることにより、結晶欠陥を導入しないで、半導体発光・受光デバイス用の結晶薄膜を成長させることのできる基板材料として重要である。
本技術は結晶の溶液から結晶を成長させる方法であり、成長させる結晶の少なくとも1つの構成元素からなる成長溶液を超音波によって結晶溶液へ供給しながら、超音波振動出力を変えることにより、結晶溶液に供給される成分溶液の量を変えることができる。各超音波出力と成長した結晶の組成を測定することにより、一回の結晶成長を行うだけで出力と組成関係を得ることができ、この得られた関係を利用して、以降所望の組成の結晶を得ることができる。また必要な不純物量の供給についても同様に超音波出力の制御することにより可能である。
画像

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従来技術、競合技術の概要 バルク混晶半導体の組成を変える方法では、少孔を通して構成元素溶液を供給するする方法がある。この少孔の大きさを変えれば結晶溶液に供給される成分溶液量を変えることができる。しかし、少孔の大きさと、成長する結晶組成の関連を得るため、異なる小孔を用いて各々結晶成長させて組成を測定しなければならない。
研究分野
  • 半導体の結晶成長
  • 音響一般
展開可能なシーズ (1)InGaAa、InGaSbなどの三元混晶半導体の結晶成長
(2)YBa2Cu3OXなどの高温超電導体用絶縁物結晶成長
用途利用分野 二元以上の化合物結晶
発光または受光デバイスの基板
関連発表論文 (1)熊川征司, 早川泰弘. ソノケミストリー 可能性と魅力を探る 半導体結晶成長と超音波. 化学工業. vol.47,no.8,1996,p.622‐627.
(2)熊川征司, 鶴田卓也, 早川泰弘. 結晶成長への超音波振動の効果. 電気学会論文誌 C. vol.109,no.3,1989,p.139‐144.
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 学校法人静岡大学, . 熊川 征司, 早川 泰弘, . 結晶成長方法および装置. 特開平11-268988. 1999-10-05
  • C30B  15/02     
  • C30B  15/12     
  • C30B  29/06     
  • C30B  29/40     

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