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微細素子の形成方法及びその装置

シーズコード S012000045
掲載日 2002年1月29日
研究者
  • 縄手 雅彦
研究者所属機関
  • 島根大学 地域共同研究センター
研究機関
  • 島根大学 地域共同研究センター
技術名称 微細素子の形成方法及びその装置
技術概要 この新技術は、微細素子の形成方法及びその形成装置に関するもので、特に磁性金属からなる微細素子の形成に有効に用いることのできる微細素子の形成方法及びその装置に関するものであって、本法では蒸発源と基板との間に非常に小さい穴を持つマスクを設置し、点状の薄膜が堆積されるようにする。堆積時に、圧電素子などを用いて基板を微小量ずつ移動することにより、任意の図形を有する微細素子を基板上に作製する。基板の移動はX-Y-Zの3方向に行い、図形の寸法によってはマスクの方を微少量移動しながら堆積を行う。他の気相成長法(イオンビームスパッタ、分子線ユビタキシー法など)を組み合わせることも可能である。
画像

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従来技術、競合技術の概要 微細素子の形成技術は、半導体の分野において広く開発されている。代表的微細素子の形成方法としては、蒸着法やCVD法などで、約0.1~2μm厚の薄膜を基板上に形成したあと、電子線や光リソグラフィ及びエッチングの技術を組合わせて前記薄膜の一定箇所を除去して、所望の形状の微細素子を形成するものであるが、例えば電子線描画法ではリソグラフィ装置など複雑で高価な装置が必要である他、クリーンルームなどといった大掛かりな設備も必要となる。
研究分野
  • 半導体集積回路
  • 固体デバイス製造技術一般
展開可能なシーズ (1)磁性金属微細素子
用途利用分野 半導体、磁性体集積回路
素子構造
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 学校法人島根大学, . 縄手 雅彦, . 微細素子の形成方法及びその装置. 特開2000-058453. 2000-02-25
  • H01L  21/203    
  • C23C  14/04     
  • C23C  14/14     

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