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酸化物超電導バルク体の製造方法

シーズコード S110004731
掲載日 2011年1月4日
研究者
  • 尾作 仁司
技術名称 酸化物超電導バルク体の製造方法
技術概要 トップシード溶融凝固法によってファセットが生成しないか、ファセットが生成したとしても前駆体中心部で生成停止した状態の未発達ファセット状態の試料に対し、結晶成長のための処理を複数段のステップで徐々に温度降下させるとともに、各ステップにおいては等温保持する段階降温等温処理を施す。好ましくは、前駆体1上に設置されている種結晶2の結晶構造を基に、半溶融状態の前駆体を結晶化して酸化物超電導バルク体3Cとする際、前駆体の組成比に応じた理論的結晶成長温度を中心として、それよりも高い温度域から段階降温等温処理を開始し、結晶成長温度よりも低い温度域まで段階降温等温処理を施し、その後、常温まで冷却す。また結晶成長のための保持温度の段階的ステップ数を3~8の範囲、各ステップの温度差を2℃±1℃とする。これにより、前駆体の製造過程での原料の混合不均一性や原料自体の組成ずれ、原料混合比のずれ等に起因して、組成比に応じた理論的結晶開始温度からわずかにずれた温度で結晶成長を開始する場合の温度ずれを吸収し、結晶成長させることができる。
画像

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研究分野
  • 結晶成長技術・装置
  • 酸化物の結晶成長
  • 超伝導材料
展開可能なシーズ トップシード溶融凝固法において、ファセットの成長が失敗した試料を再度処理し、最終的にファセットを成長させた高品質の酸化物超電導バルク体を製造することができる方法を提供する。
粉砕、沈殿分離再回収処理等の複雑な工程を経ることなく、段階降温等温処理のみでファセットが成長した酸化物超電導バルク体として再利用可能となる。また試料の再利用を図るので、酸化物超電導バルク体の製造歩留まりの向上にも寄与する。更に、数時間~10時間程度の段階降温等温処理で結晶成長ができる。
用途利用分野 酸化物超電導バルク体
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 公益財団法人鉄道総合技術研究所, . 尾作 仁司, . 酸化物超電導バルク体の製造方法. 特開2006-306692. 2006-11-09
  • C30B  29/22     
  • C01G   1/00     
  • C01G   3/00     

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