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量子ドットの形成方法

シーズコード S110005005
掲載日 2011年1月4日
研究者
  • 山口 浩一
技術名称 量子ドットの形成方法
技術概要 GaAs基板1上にInAs量子ドットを作製する際に、GaAs層2表面上に、GaSbAs1-x(0<x≦1)層を導入し、このGaSbAs1-x(0<x≦1)層上に、InAs量子ドットを自己形成する。この場合、InAs量子ドットは、GaAsバッファ層の表面に導入されたGaSbAs1-x(0<x≦1)層上に形成されるが、ここでは、Sbの組成xをx=1に設定し、GaSb層上にInAs量子ドットを形成する。GaSb層上にInAs量子ドットを形成したサンプルでは、GaAs基板1の(001)面にGaAsバッファ層2を形成し、GaAsバッファ層2の表面にGaSb層3を形成し、GaSb層3上にInAs量子ドット4を自己形成することによって得られる。このサンプルに形成されたInAs量子ドット4の表面配置形状は、AFM(原子間力顕微鏡)により観察される。また、先のInAs量子ドット4を、GaAsキャップ層5でさらに埋め込んだサンプルを用いて、InAs量子ドット4のフォトルミネッセンス(PL)を観察する。
画像

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研究分野
  • 固体デバイス製造技術一般
展開可能なシーズ 量子ドット同士のコアレッセンスを防止しつつ、高均一かつ高密度の量子ドットを形成する方法を提供する。
コアレッセンスの発生を抑制しつつ、現実のデバイス応用に適した高密度かつ高均一な量子ドットを自己形成することができる。
用途利用分野 半導体レーザ、量子ドットレーザ
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 学校法人電気通信大学, . 山口 浩一, . 量子ドットの形成方法. 特開2006-080293. 2006-03-23
  • H01L  29/06     
  • H01L  21/203    
  • H01S   5/343    
  • B82B   3/00     
  • B82Y  10/00     

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