TOP > 技術シーズ検索 > パターン形成体及びパターン形成方法

パターン形成体及びパターン形成方法

シーズコード S110005110
掲載日 2011年1月4日
研究者
  • 永野 修作
  • 関 隆広
技術名称 パターン形成体及びパターン形成方法
技術概要 光照射したときの露光部と非露光部との水濡れ性の相違を利用してパターン形成可能なパターン形成体である。ハイドロゲルと、光照射によって会合状態が変化するか又は架橋形成状態が変化する疎水性の光応答性物質をハイドロゲルの表面に化学結合させてなる。表面修飾部は、水と接触させた状態では、疎水性の光応答性物質が互いに弱く会合しているとき又は架橋が形成されていないときにハイドロゲルによって覆われて親水性となる。疎水性の光応答性物質が互いに強く会合しているとき又は架橋が形成されているときに疎水性の光応答性物質に覆われて疎水性となる。ハイドロゲルは、水や水/水溶性有機溶媒などの水系の溶媒を分散媒とするゲルであればゲルの種類、架橋基の構造など特に限定されるものではなく、天然ゲルと合成ゲルとのどちらであってもよいし、物理ゲルと化学ゲルとのどちらであってもよい。
研究分野
  • 光学機器
  • 撮影,現像,焼付け,引伸し
展開可能なシーズ 材料そのものの水濡れ性を変えることによって表面の水濡れ性を変えるものであって、明瞭なパターン形成が可能な新規なパターン形成体及びパターン形成方法を提供する。
パターン形成体の表面に光照射したときに、その露光部と非露光部とでパターン形成体の表面の親水性と疎水性とがドラスティックに変化するため、パターン形成体の表面に疎水性物質又は親水性物質を吸着又は脱着させたときに明瞭なパターンを形成することができる。
用途利用分野 表面水濡れ性、細胞培養支持体
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立大学法人名古屋大学, . 永野 修作, 関 隆広, . パターン形成体及びパターン形成方法. 特開2007-133020. 2007-05-31
  • G03F   7/004    
  • G03F   7/26     

PAGE TOP