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不揮発性メモリ

シーズコード S110005115
掲載日 2011年1月4日
研究者
  • 北川 章夫
  • 高田 雅史
  • 中山 和也
技術名称 不揮発性メモリ
技術概要 抵抗変化により不揮発性記憶を行う抵抗変化メモリ素子を用いた不揮発性メモリである。第1の能動素子と第2の能動素子との入出力を互に接続したSRAM回路部と、第1,第2の能動素子のそれぞれと、電源との間に直列に接続した第1,第2の抵抗変化メモリ素子と、第2の能動素子と第2の抵抗変化メモリ素子との接続点とストア線との間に接続されたスイッチング素子であって、スイッチング素子のスイッチングを制御する入力は、第1の能動素子の出力に接続されており、スイッチング素子により、不揮発性メモリの電源をオフする直前に、SRAM回路部の記憶内容を、スイッチング素子から第2の抵抗変化メモリ素子に電流を流して抵抗変化を起こして記憶させ、不揮発性メモリの電源をオンしたとき、第2の抵抗変化メモリ素子の記憶内容をSRAM回路部に移し、SRAM回路部に記憶データの書き込み、読み出しを行う。第1の抵抗変化メモリ素子は、第2の抵抗変化メモリ素子の記憶内容による抵抗値変化の中間値の抵抗値に設定されている。第2の抵抗変化メモリ素子は、電源をオンしたときに第2の抵抗変化メモリ素子の記憶内容をSRAM回路部に移した後、スイッチング素子を介して流す電流により、低抵抗値とされる。
画像

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研究分野
  • 電子・磁気・光学記録
  • 半導体集積回路
  • トランジスタ
展開可能なシーズ 相変化メモリ等の、抵抗変化により不揮発性で記憶する素子を用いた不揮発性メモリを提供する。
通常の動作はSRAMと同じように高速ででき、相変化メモリ等の抵抗変化メモリ素子への書き込み可能回数は有限ではあるが、この書き込み回数を事実上無限大とすることができる。また、CMOSとの整合性が高い不揮発性メモリを実現することができる。このような不揮発性メモリを用いることで、待機電力を大幅に低減することが可能となる。
用途利用分野 不揮発性メモリ
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立大学法人金沢大学, . 北川 章夫, 高田 雅史, 中山 和也, . 不揮発性メモリ. 特開2006-146983. 2006-06-08
  • G11C  11/41     
  • G11C  11/412    
  • G11C  13/00     

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