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硬質窒化炭素膜の形成方法

シーズコード S110005150
掲載日 2011年1月4日
研究者
  • 伊藤 治彦
  • 堀 健造
  • 齋藤 秀俊
技術名称 硬質窒化炭素膜の形成方法
技術概要 減圧にされた反応室8内の基板ステージ12上に載置された基板11上で、シアン化合物を含む原料ガスをプラズマ化することにより活性化し、基板11上に硬質窒化炭素膜を形成する。形成方法は、基板11上に窒化炭素膜を形成する際に、基板11にパルス周期が10~10000秒の高周波パルスを、on/off比50/50~80/20で印加する。好ましくは、基板11の温度を0~100℃に維持し、印加する高周波パルスのバイアス電圧を-50~-200Vとする。また原料ガスが、シアン化合物とアルゴン等の不活性ガスとの混合ガスであり、シアン化合物としては、例えば、シアン化臭素、シアン化ヨウ素、シアン化塩素、シアン化水素、アセトニトリル、ジシアン等である。基板11が、シリコン、炭化ケイ素、窒化ケイ素から選択された表面を有するものである。更に、硬質窒化炭素膜の硬度が20~60GPa、窒素含有率が原子数比で20~50%である。
画像

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研究分野
  • 薄膜成長技術・装置
  • 無機化合物の薄膜
  • プラズマ生成・加熱
展開可能なシーズ 大規模で高価な設備を必要とせずに、基板上に硬度が高く表面が平滑で均質な硬質窒化炭素膜を効率良く形成する方法を提供する。
ゆっくりとしたパルス電圧を基板に印加することによって、負電圧を大きくした際にスパッタリングにより膜の生成が阻害されることを防止し、効率良く均質な硬質窒化炭素膜を形成できる。
用途利用分野 切削工具、金型、耐摩耗部品、記憶媒体
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 学校法人長岡技術科学大学, . 伊藤 治彦, 堀 健造, 齋藤 秀俊, . 硬質窒化炭素膜の形成方法. 特開2006-249522. 2006-09-21
  • C23C  16/34     
  • C23C  16/509    
  • B23B  27/14     
  • B23P  15/28     

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