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シリコンベースの高効率太陽電池およびその製造方法

シーズコード S110005224
掲載日 2011年1月11日
研究者
  • 末益 崇
技術名称 シリコンベースの高効率太陽電池およびその製造方法
技術概要 シリコンベースの高効率太陽電池は、一方の表面がSiである基板1と、基板1のSi表面のうちの1つの表面上に配置される、シリコンベースの高効率太陽電池は、エピタキシャル成長により形成されたBa原子とSi原子とを含有するn型BaSi層2と、n型BaSi層2上に配置される周期表13~15族に属する少なくとも1種の不純物原子とBa原子とSi原子とを含有するn型BaSi層3とを備える。また、n型BaSi層3上に配置される上部電極6と、基板1の一方の表面上に配置される下部電極5とを備える。ここにおいて、「n型」の半導体とは電子密度が1×1018cm-3未満のものを意味し、「n型」の半導体とは電子密度が1×1018cm-3以上のものを意味する。製造方法では、一方の表面がSiである基板1のSi表面のうちの1つの表面にBa原子を導入する。n型BaSi層2にSr原子、Ca原子およびMg原子からなる群から選択される1種のアルカリ土類金属原子を含有させることが好ましい。これにより、n型BaSi層2の禁制帯幅を拡大させ、光電変換効率に優れた太陽電池を得る。
画像

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研究分野
  • 太陽光発電
  • 光導電素子
  • 固体デバイス製造技術一般
展開可能なシーズ 薄型でエネルギー変換効率が高いシリコンベースの太陽電池を提供する。
電子密度の高いBaSi系n型半導体を形成することができ、薄型でエネルギー変換効率が高いシリコンベースの太陽電池を得ることが可能となる。
用途利用分野 基板、n型BaSi層、太陽電池
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立大学法人 筑波大学, . 末益 崇, . シリコンベースの高効率太陽電池およびその製造方法. 特開2008-066719. 2008-03-21
  • H01L  31/04     

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