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磁気メモリ装置及びその書き込み方法

シーズコード S110005284
掲載日 2011年1月11日
研究者
  • 能崎 幸雄
  • 松山 公秀
技術名称 磁気メモリ装置及びその書き込み方法
技術概要 合成磁場発生用電流通電回路8から供給する高周波電流Iaの周波数を、第1の書き込み導体線6に直流電流Iwが流れているときに、複数の磁気記憶セル1ごとに定まる複数の最大強磁性共鳴周波数の中で最も高い最大強磁性共鳴周波数よりも高く設定する。そして第1の書き込み導体線6に直流電流Iwが流れておらず且つ第2の書き込み導体線7に高周波電流Iaが流れている1以上の交差点に対応して配置された1以上の磁気記憶セル1の磁化状態を反転させることがないように、第2の書き込み導体線7に流される高周波電流の周波数とその電流値に相関関係を持たせる。
画像

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研究分野
  • 電子・磁気・光学記録
  • 半導体集積回路
展開可能なシーズ 複数の磁気記憶セルについて、それぞれ確実に書き込みを行うことができる磁気メモリ装置及びその書き込み方法を提供する。
複数の磁気記憶セルについて、それぞれ確実に書き込みを行うことができる。また磁気記憶セルのダンピング定数と高周波電流の周波数を適宜に選択することにより、書き込みに必要な時間を1ナノ秒以下にすることも可能になる。
用途利用分野 強磁性共鳴効果、エネルギー効率、MRAM書き込み装置、対応共振周波数、強磁性共鳴周波数
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立大学法人九州大学, . 能崎 幸雄, 松山 公秀, . 磁気メモリ装置及びその書き込み方法. 特開2007-242092. 2007-09-20
  • G11C  11/15     
  • H01L  27/105    
  • H01L  21/8246   
  • H01L  43/08     

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