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無電解銅めっき浴、無電解銅めっき方法及びULSI銅配線形成方法

シーズコード S110005439
掲載日 2011年1月12日
研究者
  • 逢坂 哲彌
  • 長谷川 円
技術名称 無電解銅めっき浴、無電解銅めっき方法及びULSI銅配線形成方法
技術概要 (A)水溶性銅塩(例えば、硫酸銅)、(B)還元剤(例えば、グリオキシル酸)、(C)錯化剤(例えば、エチレンジアミン四酢酸)、(D)めっき析出抑制剤としてポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール又はエチレングリコール-プロピレングリコール共重合体、及び(E)めっき析出促進剤として8-ヒドロキシ-7-ヨード-5-キノリンスルホン酸を含有し、Naイオンを含有しない無電解銅めっき浴を用いる。この無電解銅めっき方法により、トレンチに銅めっきを埋め込んで銅配線を形成するULSI銅配線形成方法である。めっき浴は、ULSI等の銅配線形成におけるトレンチへの銅めっきの埋め込み、いわゆるダマシン法によるシリコン基板への銅配線形成に好適であり、特に、幅50~1,000nm、特に200~600nm、アスペクト比(幅/深さ)0.5~5、特に1~2.5のトレンチをボイド等の欠陥を形成することなく、十分なめっき速度で効率的に埋め込むことができる。更に、トレンチ埋め込みにより基板上に形成されるめっき皮膜の平滑性が良好となる。その後のCMP等により施される平坦化工程における欠陥の発生をも可及的に防止できる。
研究分野
  • 無電解めっき
展開可能なシーズ ULSIのトレンチ埋め込みによるダマシン法銅配線形成において、トレンチ内のボイド等の欠陥の形成を可及的に防止しつつ、効率的な埋め込みが可能な無電解銅めっき浴、無電解銅めっき方法、及びULSI銅配線形成方法を提供する。
全工程を湿式工程で構成して、より均一且つ確実に、十分なめっき速度で効率的にトレンチの埋め込みめっきを施すことが可能である。
用途利用分野 ULSI
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 学校法人早稲田大学, . 逢坂 哲彌, 長谷川 円, . 無電解銅めっき浴、無電解銅めっき方法及びULSI銅配線形成方法. 特開2007-154307. 2007-06-21
  • C23C  18/40     
  • C23C  18/31     
  • H01L  21/288    

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