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積層構造、超LSI配線板及びそれらの形成方法

シーズコード S110005440
掲載日 2011年1月12日
研究者
  • 逢坂 哲彌
  • 吉野 正洋
技術名称 積層構造、超LSI配線板及びそれらの形成方法
技術概要 ケイ素化合物系低誘電率材料からなる基材1を有機シラン化合物、特にアミノ基とアルコキシ基とを有する有機シラン化合物と接触させて、基材表面に、表面と化学結合的に結合する自己組織化単分子層を形成させ、更に、パラジウム塩を含む水溶液中に浸漬することでアミノ基がPdを捕捉して触媒化される。バリア層側の端部がパラジウムにより修飾され、このパラジウムがバリア層を形成する際の触媒として機能する。パラジウム触媒はその担持量が微量であるが、無電解NiBめっきは、微量なパラジウム触媒で無電解めっき層を形成できることから、まず無電解NiBめっき層31を形成し、この無電解NiBめっき層31を核として無電解CoWPめっき層32を形成することによりバリア層が形成される。ケイ素化合物系低誘電率材料からなる基材表面11の狭小トレンチに配線層41を形成して超LSI配線板を形成する。
画像

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研究分野
  • 無電解めっき
展開可能なシーズ ケイ素化合物系低誘電率材料からなる基材、バリア層及び配線層の相互の密着性に優れた積層構造、この積層構造を適用した超LSI配線板、及びそれらをオールウエットプロセスにて効率よく形成することができる方法を提供する。
超LSIの銅配線、特に、従来に比べて更に狭小化されたトレンチに形成される銅配線の形成構造として好適である。配線層を無電解銅めっきにより形成する工程において、更には配線層を形成した後においても、層間絶縁部から剥離することがない。
用途利用分野 超LSI配線板
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 学校法人早稲田大学, . 逢坂 哲彌, 吉野 正洋, . 積層構造、超LSI配線板及びそれらの形成方法. 特開2008-069389. 2008-03-27
  • C23C  18/16     
  • C23C  18/18     
  • C23C  18/52     
  • H01L  23/52     
  • H01L  21/3205   
  • H01L  21/288    

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