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新規な含フッ素重合体、その重合体の製造法および1,6—ジエン型エーテルの製造法 新技術説明会

シーズコード S110005443
掲載日 2011年1月12日
研究者
  • 久保田 俊夫
  • 高木 絢子
技術名称 新規な含フッ素重合体、その重合体の製造法および1,6—ジエン型エーテルの製造法 新技術説明会
技術概要 式(1)及び/又は式(2)で表される構造を含有する含フッ素重合体(ここでnは、100以下の整数である)は、中間体である1,6-ジエン型エーテルを重合することにより製造される。1,6-ジエン型エーテルは、オクタフルオロシクロペンテンとホモアリルアルコール又はその誘導体とを反応させて得られる。これにより、テトラヒドロフラン、ジクロロメタン等の有機溶媒であることから、1,6-ジエン型エーテルに含まれる二種類の炭素-炭素二重結合がランダムに重合に関与した三次元網目構造は生成していないことが確認できる。なお、重合体は、1,6-ジエン型エーテルの重合によって得られるが、塊状重合で行うことが好ましい。重合温度は、60℃~120℃の範囲で行うことが好ましい。重合時間は通常4~48時間、好ましくは6~12時間とされる。開始剤として一般的なラジカル開始剤を使用でき、過酸化ベンゾイル、アゾビスイソブチロニトリル等が用いられる。
画像

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研究分野
  • 重合反応一般
  • 高分子材料一般
  • 固体デバイス材料
展開可能なシーズ 1,6-ジエン型エーテルを重合することを特徴とするその重合体の製造法およびオクタフルオロシクロペンテンと、ホモアリルアルコール又はその誘導体とを反応させる1,6-ジエン型エーテルの製造法を提供する。
透明性が高く、高いガラス転移点を有し、溶媒可溶で成形性を備えた高機能ポリマーであり、多くの用途が見込まれ、低反射コート、半導体絶縁材、半導体リソグラフィーにおけるペリクルなど先端技術分野の用途に有効である。
用途利用分野 低反射コート材、半導体絶縁材
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 茨城大学, . 久保田 俊夫, 高木 絢子, . 新規な含フッ素重合体、その重合体の製造法および1,6—ジエン型エーテルの製造法. 特開2007-314586. 2007-12-06
  • C08F  16/32     
  • C07C  41/16     
  • C07C  43/192    

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