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KFを含有するチタン酸バリウム系圧電体またはその製造方法

シーズコード S110005494
掲載日 2011年1月12日
研究者
  • 秋重 幸邦
技術名称 KFを含有するチタン酸バリウム系圧電体またはその製造方法
技術概要 TiOとBaOとを、そのモル比がTiO/BaO>1となるようにして原料を調整し、KFを融剤としたフラックス法によりBaTiO3結晶を成長させ、BaTiO3結晶のうち、Baの一部がKに置換され、また、Oの一部がFに置換された結晶を得る。一般式:Ba1-xTiO3-x(ただし、0<x<0.13)として表され、一次から二次へ相転移が移行するx=0.1近傍の組成であるチタン酸バリウム系圧電体を製造する。原料にBaTi、または、BaTiOとTiOとを用いてもよい。KFを含有するチタン酸バリウム系圧電体の圧電定数d33は室温で300pC/Nであり、比誘電率ε’は12000である。
画像

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研究分野
  • 結晶成長技術・装置
  • 薄膜成長技術・装置
  • 圧電デバイス
展開可能なシーズ 鉛を含まない、圧電定数の大きいチタン酸バリウム系圧電体または強誘電体ならびにその製造方法を提供する。
圧電定数d33の値が常温でチタン酸ジルコニウム酸鉛より高く、鉛フリーであるので、コンデンサー材料としてはもとより、広く圧電材料として、インクジェットプリンタのプリンタヘッド、液晶画面のバックライト用の圧電トランスなどにも適用可能である。強誘電体としても圧電体(または圧電材料)としても使用できる。
用途利用分野 無鉛チタン酸バリウム系圧電体、無鉛チタン酸バリウム系強誘電体
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立大学法人島根大学, . 秋重 幸邦, . KFを含有するチタン酸バリウム系結晶の圧電体. 特開2007-326768. 2007-12-20
  • C30B   9/12     
  • C04B  35/462    
  • H01L  41/18     
  • H01L  41/187    

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