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金属硫化物の製造方法、及び金属硫化物

シーズコード S110005527
掲載日 2011年1月12日
研究者
  • 手塚 慶太郎
  • 単 躍進
  • 井本 英夫
技術名称 金属硫化物の製造方法、及び金属硫化物
技術概要 出発原料として、Cu、Ni、Fe、Co、Zn、Ag、Cd、Sb、Ga、In、Sn、Ge、Pb、Bi、Ru、Ti、Al、Cr、Mn、Ir、V、希土類元素、Zr、Hf、Ta、Nb、Tl、Re、W、As、Si及びMo等からなる群から選ばれる少なくとも一つの元素の酸化物(金属酸化物)又は、Ni、Fe、Co、Zn、Ag、Cd、Sb、Ga、In、Sn、Ge、Pb、Bi、Ru、Ti、Al、Cr、Ir、V、希土類元素、Rh、Pd、Pt、Os、Au、Tl、Re、W、Hg、As,Si及びMoからなる群から選ばれる少なくとも一つの金属単体と、硫黄原料とを用いる。金属酸化物や金属単体の材料の粒径は、種類、反応条件、得られる金属硫化物等により最適な範囲は異なるが、通常1μm以上200μm以下、好ましくは、2μm以上100μm以下が好適である。そして、出発原料を水熱反応条件下又はソルボサーマル反応条件下で反応させて金属硫化物を得る。
研究分野
  • 固体デバイス材料
  • 固体デバイス製造技術一般
展開可能なシーズ 簡便で低コストな金属硫化物の合成方法、及びこの合成方法により得られる金属硫化物を提供する。
出発原料をシンプルにすることができ、不純物の生成が抑制されやすくなり、高収率で金属硫化物を製造できる。
用途利用分野 金属硫化物、EL、半導体、蛍光体
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立大学法人宇都宮大学, . 手塚 慶太郎, 単 躍進, 井本 英夫, . 金属硫化物の製造方法. 特開2008-056552. 2008-03-13
  • C01B  17/20     
  • C01G  53/11     
  • C01G  49/00     
  • C01G  51/00     
  • C01G   9/08     
  • C01G   5/00     
  • C01G  11/02     

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