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投影露光装置および投影露光方法

シーズコード S110005537
掲載日 2011年1月12日
研究者
  • 堀内 敏行
  • 小林 宏史
技術名称 投影露光装置および投影露光方法
技術概要 パターンが形成されたマスクを照明するための照明装置と、照明装置からのマスク照明光線によってマスクに形成されたパターンを被露光基板に投影露光転写する分布屈折率レンズアレイを有する。分布屈折率レンズアレイを被露光基板に対して相対的に走査または間欠移動する機構を設けた投影露光装置である。分布屈折率レンズアレイを被露光基板に対して相対的に走査または間欠移動する方向に対して直交する方向に露光中または露光工程の間に動かす機構を設ける。分布屈折率レンズアレイを走査方向に複数設け、配置位置をレンズ要素の配列方向にずらして配置する。照明装置とマスクとの間、または、マスクの直後、または、マスクのパターン面と共役な面付近に、明暗の濃度分布を有する光学フィルターを設ける。また、微小透過シャッターアレイ、微小反射シャッターアレイ、微小発光素子アレイのうちいずれかをマスクまたは照明装置とマスクの代わりに使用する。これにより、照射範囲の光強度分布の不均一性を低減し、同じマスクパターン線幅に対して転写パターンの線幅変化が少なく、側壁が滑らかで、通常以上に微細なパターンを形成できる。
画像

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研究分野
  • 光学機器
  • 撮影,現像,焼付け,引伸し
展開可能なシーズ ディスプレイ、半導体集積回路、光エレクトロニクス素子、マイクロマシン部品等の微細パターンを、大寸法のガラス基板、プラスチック基板、銅箔付きプラスチック基板、スクリーン印刷用のスクリーン、金属シート、大口径ウエハ等の大きい面積の被露光基板上に転写する、投影露光装置および投影露光方法を提供する。
投影露光でマスクと被露光基板が接触することがないので、密着露光やプロキシミティ露光における、マスクへの汚れ付着による露光パターンへの転写欠陥の発生や、マスクや被露光基板の傷発生をなくすことができる。分布屈折率レンズアレイにより等倍正立実像を作って露光するため、倒立実像を作って露光する既存の投影露光装置のようにマスクと被露光基板とを逆方向に精確に同期させて動かす仕組みが不要であり、装置の走査または間欠移動機構およびその制御を大幅に簡単化できる。
用途利用分野 感光性材料パターン形成、エッチングパターン形成、密着露光方式、プロキシミティ露光方式、投影露光方式、フラットディスプレイ
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 学校法人東京電機大学, . 堀内 敏行, 小林 宏史, . 投影露光装置および投影露光方法. 特開2008-176257. 2008-07-31
  • G03F   7/20     
  • H01L  21/027    
  • G02B   3/00     

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