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薄膜作製方法

シーズコード S110005666
掲載日 2011年1月14日
研究者
  • 横谷 篤至
技術名称 薄膜作製方法
技術概要 光CVD法による薄膜作製方法において、被対象物である基板を載置した反応容器に2種類の原料ガス(シラン・NH)を真空紫外光の光源窓部に向けて吹き付けて導入して、基板の温度を室温~300℃にすると共に、波長126nmの真空紫外光を照射することによってSiN薄膜を形成する。そして、SiN薄膜が形成された基板にさらに真空紫外光による光アニーリングを行う。基板温度を50℃~80℃の低温において光CVD法による薄膜を作製し、さらに光アニーリングを行うことによって酸化しない安定したSiN薄膜を作製できる。これにより、原料ガスのシランとキャリアガスのNを真空紫外光の光源窓部に向けて吹き付けて導入するため、窓部にアモルファスSiが付着しないため、真空紫外光の光量が変化せず安定した薄膜作製が可能である。また、SiN薄膜が形成された基板を、さらに光アニーリング行うことにより、良質の薄膜が作製できる。
画像

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研究分野
  • 薄膜成長技術・装置
  • 光化学反応
  • 無機化合物の薄膜
展開可能なシーズ SiN薄膜を低温(室温~300℃)にて作製できるSiN薄膜を形成する薄膜作製方法を提供する。
窓部にアモルファスSiが付着しないため、真空紫外光の光量が変化せず安定した薄膜作製が可能である。基板温度を50℃~80℃の低温において薄膜を作製し、さらに光アニーリングを行うことによって酸化しない安定したSiN薄膜を作製できるためプラスチック等の基板材料や生体系材料等の保護膜として利用できる。
用途利用分野 SiN保護膜材料、半導体バリア膜材料
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立大学法人 宮崎大学, . 横谷 篤至, . 薄膜作製方法. 特開2007-302958. 2007-11-22
  • C23C  16/48     
  • H01L  21/318    

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