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薄膜電極の製造方法

シーズコード S110005714
掲載日 2011年1月14日
研究者
  • 岸岡 真也
技術名称 薄膜電極の製造方法
技術概要 天然マイカのへき開面1上に蒸着、スパッタリング等の方法により、金属又は金属酸化物により構成された導電性薄膜2を形成する(A)。導電性薄膜2の表面に高分子接着剤層3を設け(B)、この接着剤層3を介してガラス、石英等からなる基板4を接合する(C)。得られた接合体から天然マイカのへき開面1を剥離し、基板4の表面に導電性薄膜2が強固に密着した薄膜電極を得る(D)。天然マイカのへき開面は、高度に平滑な単結晶状態の(100)配向面を有することから、その表面に蒸着やスパッタリング等により金属の薄膜を形成すると、エピタキシャルに成長して金属の表面は平滑な(111)配向膜となることが知られている。しかしながら、従来の方法では薄膜形成後に500℃以上の高温で、アニール処理をすることが必要であった。ここでは、導電性薄膜2を高分子接着剤3を介して基板4に接合した後に、マイカのへき開面1を剥離することで、高温でのアニール処理を行なうことなく平滑な表面を有する導電性薄膜2を設けた薄膜電極を得ることができる。
画像

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研究分野
  • 固体デバイス製造技術一般
  • 薄膜一般
  • 導体材料
展開可能なシーズ 基板との密着性が良好で、しかも光透過性に優れかつ高度な平滑性や配向性を有する薄膜電極を、安価な製造装置を使用して簡単な工程で、低コストで製造する方法を提供する。
従来の製造方法では必要とされていた高価な製造装置や複雑な工程を使用せずに、安価な製造装置を使用して簡単な工程で、光が充分に透過する平滑な薄膜金属配向膜を、大きな密着強度を保ちながらガラス、石英等の絶縁性基板上に形成した薄膜電極を低コストで得ることができる。
用途利用分野 導電性薄膜、高分子接着剤層
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 長岡技術科学大学, . 岸岡 真也, . 薄膜電極の製造方法. 特開2008-181906. 2008-08-07
  • H01L  21/285    
  • H01L  21/28     
  • C23C  14/14     
  • H01L  51/50     
  • H05B  33/26     
  • H05B  33/10     
  • C23C  14/24     
  • C23C  14/34     
  • C30B  29/16     
  • C30B  23/08     
  • G01N  27/30     

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