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成膜方法及び成膜装置

シーズコード S110005828
掲載日 2011年9月30日
研究者
  • 福永 博俊
  • 中野 正基
技術名称 成膜方法及び成膜装置
技術概要 本技術は図1の成膜装置に設置した固体物質のターゲット2に第1のレーザ光源4からレーザ光6を照射してターゲット2の物質を飛散させる工程と、飛散した物質に第2のレーザ光源5からレーザ光7を照射する工程から成る。飛散物質は基板3に付着して成膜する。この成膜技術と装置を適用すれば、第2のレーザ光源により飛散物質にレーザ光が照射して飛散物質中の粗大粒子を分解するので、成膜速度を損なうことなく平滑性に優れた膜を基板上に成膜する事が可能となる。成膜は、2~8×10-6Torrの真空雰囲気中で実施する。ターゲット2はNd2.6Fe14Bで構成、基板3はTaである。基板はターゲット2上の第1レーザ光6の照射方向に対向した位置に所要の距離を保って配置する。第2レーザ光源5は第1レーザ光源4と同様にYAGレーザを用いる。第1光源4と第2光源5から発振するレーザ光6と7のビームエネルギーは5~6Wに設定する。
画像

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研究分野
  • 気相めっき
展開可能なシーズ 成膜速度を損なうことなく、平滑性に優れた薄膜を形成する成膜方法及び成膜装置を提供する
本成膜方法を採用すれば、ドロップレットの原因となる粗大粒子を分解して成膜に寄与させるので、成膜速度を損なうことなく平滑性に優れた膜を基板上に成膜することができる。
用途利用分野 電子基板、電子部品
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立大学法人 長崎大学, . 福永 博俊, 中野 正基, . 成膜方法及び成膜装置. 特開2009-091613. 2009-04-30
  • C23C  14/28     

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